[发明专利]可调节的质量分辨孔

权利要求书

1.一种离子注入系统，包括：

离子源，其被配置成生成具有沿着束线路传播的多种离子的离子束；

质量分析仪，其被配置成生成将所述离子束内的离子中的每一种离子的轨迹弯曲的磁场，以使得具有第一质量电荷比的离子比具有第二质量电荷比的离子弯曲更多，其中所述第二质量电荷比与所述第一质量电荷比不同，其中所述离子中的每一种离子的所述轨迹位于相应的平面中；

质量分辨孔(MRA)，其中所述MRA具有开口；

其中所述MRA被定位，以使得随着所述离子束接近所述MRA，在所述离子束中的离子的第一部分穿过所述开口，并且在所述离子束离开所述MRA之后处于所述离子束中，并且随着所述离子束接近所述MRA，所述MRA改变在所述离子束中的离子的第二部分的运动，以使得在所述离子束离开所述MRA之后所述离子的第二部分不处于所述离子束中，

其中所述开口的边缘的至少一部分包括鳍片，其中所述鳍片具有前表面和后表面，其中随着所述离子束接近所述MRA，所述前表面的法线具有面向所述离子束的分量，以及随着所述离子束离开所述MRA，所述后表面的法线具有面向所述离子束的分量，其中所述鳍片具有在所述前表面上的引导部分，其具有与束路径的方向垂直的法线，

其中所述前表面在远离所述开口的方向上远离所述引导部分弯曲，以形成与所述引导部分邻近的所述前表面的外凸部分以及与所述前表面的凸部分邻近的所述前表面的外凹部分。

2.根据权利要求1所述的离子注入系统，

其中撞击所述外凸部分的离子偏转出所述离子束。

3.根据权利要求1所述的离子注入系统，

其中所述后表面在朝向所述开口的方向上远离所述引导部分弯曲，以形成与所述引导部分邻近的所述后表面的内凸部分。

4.根据权利要求3所述的离子注入系统，

其中撞击所述内凸部分的离子偏转出所述离子束。

5.根据权利要求1所述的离子注入系统，

其中所述鳍片的至少一部分被分段，以使得所述鳍片的第一区段具有与所述鳍片的第二区段不同的电荷和/或不同的磁极性。

6.根据权利要求5所述的离子注入系统，

其中所述第一区段具有以使得所述外凹部分吸引在离子的所述第二部分中的所述离子的电荷。

7.根据权利要求1所述的离子注入系统，

其中所述鳍片从在整个开口周围的所述边缘延伸。

8.根据权利要求1所述的离子注入系统，

其中所述开口的宽度是可调节的，其中所述宽度在位于所述平面中的方向上被测量，其中调节所述开口的所述宽度改变哪种离子处于所述离子的所述第一部分中。

9.根据权利要求8所述的离子注入系统，

其中所述MRA包括：

四个侧边，其中所述至少一个侧边是线性可移动的，其中线性移动所述至少一个线性可移动侧边的一个或多个侧边来调节高度和/或所述宽度。

10.根据权利要求9所述的离子注入系统，

其中所述至少一个侧边的所述四个侧边中的每一个侧边在与所述宽度被测量的方向平行的方向上是线性可移动的，并且在与所述高度被测量的方向平行的方向上线性可移动，

其中在开口尺寸操作范围内的任何开口尺寸可通过在与所述宽度被测量的方向平行的方向上和/或在与所述高度被测量的方向平行的方向上线性移动所述四个侧边的至少两个侧边来实现。

11.根据权利要求1所述的离子注入系统，

其中所述开口的高度是可调节的，其中所述高度在与所述平面垂直的方向上被测量，其中调节所述开口的所述高度改变哪种离子处于所述离子的所述第一部分中。