[发明专利]生物标记物传感器阵列和电路及其使用和形成方法

权利要求书

1.一种传感器阵列，包含：

多个传感器节点，

其中，所述多个传感器节点中的各传感器节点包含多个传感器元件，并且各传感器元件包含一个或多个传感器装置，并且

其中，各传感器节点检测生物标记物，

其中，传感器节点中的各传感器元件具有与所述传感器节点中的至少一个其它传感器元件不同的特征，使得所述多个传感器元件中的第一传感器元件产生响应所述生物标记物的第一电响应，而所述多个传感器元件中的第二传感器元件产生响应所述生物标记物的第二电响应，并且

其中所述传感器阵列包括至少一个n沟道FDEC传感器装置以及至少一个p沟道FDEC传感器装置。

2.如权利要求1所述的传感器阵列，其特征在于，所述多个传感器节点中的一个或多个传感器节点检测多种生物标记物。

3.如权利要求1所述的传感器阵列，其特征在于，所述n沟道FDEC传感器装置包括增强模式n沟道FDEC传感器装置。

4.如权利要求1所述的传感器阵列，其特征在于，第一传感器节点包含第一传感器装置，而第二传感器节点包含第二传感器装置，其中所述第一传感器装置是第一装置类型而所述第二传感器装置是第二装置类型。

5.如权利要求1所述的传感器阵列，其特征在于，至少一个传感器元件进一步包括参考电极。

6.如权利要求1所述的传感器阵列，其特征在于，所述一个或多个传感器装置包括电化学传感器。

7.如权利要求1所述的传感器阵列，其特征在于，所述一个或多个传感器装置包括巨磁阻(GMR)传感器。

8.如权利要求1所述的传感器阵列，其特征在于，各传感器包含化学或生物或放射敏感层。

9.如权利要求1所述的传感器阵列，其特征在于，各传感器节点包括包含选自下组的物质的化学或生物或放射敏感层或多层：蛋白质、抗体、核酸、DNA链、RNA链、肽、有机分子、生物分子、脂质、聚糖、合成分子、翻译后修饰的生物聚合物、有机薄膜、无机薄膜、金属薄膜、绝缘薄膜、拓扑绝缘体薄膜、半导体薄膜、介电薄膜、闪烁材料膜和有机半导体膜。

10.如权利要求1所述的传感器阵列，其特征在于，使用CMOS半导体技术生产所述一个或多个传感器装置。

11.如权利要求1所述的传感器阵列，其特征在于，在基板上制造所述传感器装置，所述基板选自下组：硅、绝缘体上硅、蓝宝石上硅、碳化硅上硅、金刚石上硅、氮化镓、绝缘体上氮化镓、砷化镓、绝缘体上砷化镓、锗、或锗和绝缘体。

12.如权利要求1所述的传感器阵列，其特征在于，所述p沟道FDEC传感器装置包括耗尽模式p沟道FDEC传感器装置。

13.如权利要求1所述的传感器阵列，其特征在于，所述一个或多个传感器装置中的全部是场效应传感器，其中任意传感器元件中的多个传感器装置具有相同特征，其中任意传感器节点中的传感器元件具有不同特征，传感器元件之间的区别特征选自下组：半导体沟道材料、半导体沟道厚度、半导体沟道掺杂、半导体沟道注入类型和密度、半导体沟道杂质类型、半导体沟道杂质掺杂密度、半导体沟道杂质能级、半导体沟道表面化学处理、半导体沟道偏置条件、半导体沟道操作电压、半导体沟道宽度、半导体沟道顶端薄膜涂层和半导体沟道退火条件。

14.一种使用权利要求1所述的阵列进行疾病筛选或诊断或预后或治疗后监测中的一种或多种的方法。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，采用图案识别算法和疾病特征方法中的一种或多种来改善选择性。