[发明专利]用于生产包括三元合金的低辐射玻璃的涂层系统、方法和装置有效
申请号: | 201480027773.7 | 申请日: | 2014-03-12 |
公开(公告)号: | CN105473328B | 公开(公告)日: | 2017-11-17 |
发明(设计)人: | G·Z·张;B·博伊斯;J·成;M·伊姆兰;G·W·丁;M·H·乐;D·施瓦格特;Y·L·许 | 申请(专利权)人: | 分子间公司;葛迪恩实业公司 |
主分类号: | B32B15/04 | 分类号: | B32B15/04 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人: | 陈英俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 生产 包括 三元 合金 辐射 玻璃 涂层 系统 方法 装置 | ||
1.一种低辐射板,包括:
基片;
反射层,被形成在所述基片上;和
顶部介质层,被形成在所述反射层上,从而所述反射层被形成在所述顶部介质层和所述基片之间,
所述顶部介质层包括锌锡铝氧化物,其中,所述顶部介质层中的锌对锡的原子比为0.67-1.5,
所述顶部介质层实质上是无定形的。
2.如权利要求1所述的低辐射板,其中,所述顶部介质层中铝浓度的原子百分比为1%-15%。
3.如权利要求1所述的低辐射板,其中,所述顶部介质层中铝浓度的原子百分比为2%-10%。
4.如权利要求1所述的低辐射板,其中,所述顶部介质层具有3eV-6eV的带隙。
5.如权利要求1所述的低辐射板,其中,对于400nm-2500n的波长范围,所述顶部介质层的吸收系数为0。
6.如权利要求1所述的低辐射板,其中,所述顶部介质层的厚度为10nm-50nm。
7.如权利要求1所述的低辐射板,进一步包括:阻挡层,被形成在所述顶部介质层和所述反射层之间,所述阻挡层包含部分氧化的至少镍、钛、和铌的合金。
8.如权利要求7所述的低辐射板,进一步包括:顶部扩散层,被形成在所述顶部介质层上,从而所述顶部介质层被形成在所述顶部扩散层和所述阻挡层之间,所述顶部扩散层包含氮化硅。
9.如权利要求8所述的低辐射板,进一步包括:底部扩散层,被形成在所述基片和所述反射层之间;底部介质层,被形成在所述底部扩散层和所述基片的之间;和种子层,被形成在所述底部介质层和所述反射层之间。
10.一种形成低辐射板的方法,其步骤包括:
提供部分装配板,所述部分装配板包括基片,反射层被形成在所述基片上,且阻挡层被形成在所述反射层上,从而所述反射层被形成在所述基片和所述阻挡层之间;且
在含有氧气的环境使用反应溅射法,在所述阻挡层上形成顶部介质层,
所述阻挡层包括部分氧化的三种或者多种金属的合金,
所述顶部介质层包括锌锡铝氧化物,其中,所述顶部介质层中的锌对锡的原子比为0.67-1.5,
所述顶部介质层实质上是无定形的。
11.如权利要求10所述的方法,进一步包括:热处理具有所述顶部介质层的所述部分装配板。
12.如权利要求11所述的方法,其中,在响应于热处理的应用中,所述低辐射板的透射率到可见光的变化小于3%。
13.如权利要求10所述的方法,其中,所述顶部介质层中铝浓度的原子百分比为1%-15%。
14.如权利要求10所述的方法,其中,所述顶部介质层中铝浓度的原子百分比为2%-10%。
15.如权利要求10所述的方法,其中,所述顶部介质层具有3eV-6eV的带隙。
16.如权利要求10所述的方法,其中,所述顶部介质层的厚度为10nm-50nm。
17.如权利要求10所述的方法,进一步包括:在所述顶部介质层上形成顶部扩散层,所述顶部扩散层包括氮化钛。
18.形成低辐射板的方法,其步骤包括:
提供基片;
底部扩散层,形成在所述基片上;
底部介质层,形成在所述底部扩散层上;
种子层,形成在所述底部介质层上;
反射层,形成在所述种子层上;
阻挡层,形成在所述反射层上;及
顶部介质层,形成在所述阻挡层上,且
所述阻挡层包括部分氧化的三个或多个金属的合金,
所述顶部介质层包括锌锡铝氧化物,其中,所述顶部介质层中的锌对锡的原子比为0.67-1.5,
所述顶部介质层实质上是无定形的,
所述顶部介质层用反应溅射法,在含有氧气的环境被形成。
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