[发明专利]用于创建完全微波吸收表皮的方法和装置在审
| 申请号： | 201480028063.6 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN105474461A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | P·索尔萨 | 申请（专利权）人： | 伟创力有限责任公司 |
| 主分类号： | H01Q17/00 | 分类号： | H01Q17/00 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 陆文超;肖冰滨 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 创建 完全 微波 吸收 表皮 方法 装置 | ||
1.一种用于制造射频吸收器(RFA)表皮的方法，该方法包括：
将超材料层应用到低介电基板；
向所述超材料层添加电阻组件；
向所述超材料层添加电容组件；
将所述超材料层形成到RFA表皮中；以及
将所述RFA表皮应用到多层构件以用于在最终产品中吸收目标频率范 围中的电磁辐射。
2.根据权利要求1所述的方法，其中凹印印刷被用于将超材料应用到所 述低介电基板。
3.根据权利要求1所述的方法，其中移印被用于将超材料应用到所述低 介电基板。
4.根据权利要求1所述的方法，其中直写、DPN或电子喷印印刷被用 于将超材料应用到所述低介电基板。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述目标频率范围是微波频率范 围。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述多层构件中的所述超材料层被 机械地紧固。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述多层构件中的所述超材料层在 包含在所述最终产品中之前被热成型到单个子构件中。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述低介电基板包括均匀地散布在 基体内的具有不等的介电常数的球体，其中所述基体的介电常数比所述球体 的介电常数小至少两个数量级。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述基体和球体被用于电缆连接器 的外模中。
10.根据权利要求8所述的方法，其中所述基体和球体被用于一组电缆 的热固性电缆包覆物中。
11.根据权利要求8所述的方法，其中所述基体和球体被用于所述最终 产品中的EMI吸收层中的平面板中。
12.一种射频吸收器(RFA)表皮，其通过包括以下步骤的处理被制备：
将超材料层应用到低介电基板；
向所述超材料层添加电阻组件；
向所述超材料层添加电容组件；
将所述超材料层形成到RFA表皮中；以及
将所述RFA表皮应用到多层构件以用于在最终产品中吸收目标频率范 围中的电磁辐射。
13.根据权利要求12所述的RFA表皮，其中凹印印刷被用于将超材料 应用到所述低介电基板。
14.根据权利要求12所述的RFA表皮，其中移印被用于将超材料应用 到所述低介电基板。
15.根据权利要求12所述的RFA表皮，其中直写、DPN或电子喷印印 刷被用于将超材料应用到所述低介电基板。
16.根据权利要求12所述的RFA表皮，其中所述目标频率范围是微波 频率范围。
17.根据权利要求12所述的RFA表皮，其中所述多层构件中的所述超 材料层被机械地紧固。
18.根据权利要求12所述的RFA表皮，其中所述多层构件中的所述超 材料层在包含在所述最终产品中之前被热成型到单个子构件中。
19.根据权利要求12所述的RFA表皮，其中所述低介电基板包括均匀 地散布在基体内的具有不等的介电常数的球体，其中所述基体的介电常数比 所述球体的介电常数小至少两个数量级。
20.一种用于制造完全微波吸收器(PMA)表皮的方法，该方法包括：
将超材料层印刷在低介电基板上；
向所述超材料层添加电阻组件；
向所述超材料层添加电容组件；
将所述超材料层形成到PMA表皮中；以及
将所述PMA表皮应用到多层构件以用于在最终产品中吸收微波频率范 围中的电磁辐射。
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