[发明专利]催化剂

权利要求书

1.式PtXY的去合金化催化剂，其中X选自由Ni、Co和Cr构成的组；并且Y选自由Zn、Al、V和Ti构成的组；其特征在于，由X射线光电子能谱法确定的该去合金化催化剂表面处X和Y相对于Pt的总原子组成比该去合金化催化剂体内X和Y相对于Pt的总原子组成低20-99％。

2.根据权利要求1所述的去合金化催化剂，其中X是Ni或Co。

3.根据权利要求2所述的去合金化催化剂，其中X是Ni。

4.根据权利要求1所述的去合金化催化剂，其中Y是Zn。

5.根据前述权利要求中任一项所述的去合金化催化剂，其中体内X和Y的总原子百分比为20-70原子百分比。

6.根据权利要求5所述的去合金化催化剂，其中体内X和Y的总原子百分比为30-55原子百分比。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的去合金化催化剂，其中表面处X和Y相对于Pt的总原子组成比该去合金化催化剂体内X和Y相对于Pt的总原子组成低45-75％。

8.式PtXY的去合金化催化剂，其中X选自由Ni、Co和Cr构成的组；并且Y选自由Zn、Al、Sn、Be、Pb、V、In、Y、Sr和Ti构成的组；其特征在于，由X射线光电子能谱法确定的该去合金化催化剂表面处X和Y相对于Pt的总原子组成比去合金化催化剂体内X和Y相对于Pt的总原子组成低20-99％；所述去合金化催化剂能够通过包括以下步骤的方法获得：

(i)制备式PtXY的催化剂合金前体；

(ii)使该催化剂合金前体经历足以使X和/或Y的一部分从该催化剂合金前体浸出的条件，以提供该去合金化催化剂。

9.催化剂层，其包含根据权利要求1-8中任一项所述的去合金化催化剂。

10.气体扩散电极，其包括气体扩散层和根据权利要求9所述的催化剂层。

11.催化膜，其包括质子传导膜和根据权利要求9所述的催化剂层。

12.催化转移基底，其包括转移基底和根据权利要求9所述的催化剂层。

13.膜电极组件，其包括根据权利要求1-8中任一项所述的去合金化催化剂，根据权利要求9所述的催化剂层，根据权利要求10所述的气体扩散电极，或者根据权利要求11所述的催化膜。

14.用于制备式PtXY的去合金化催化剂的方法，其中X选自由Ni、Co和Cr构成的组；并且Y选自由Zn、Al、V和Ti构成的组；其特征在于，由X射线光电子能谱法确定的去合金化催化剂表面处X和Y相对于Pt的总原子组成比去合金化催化剂体内X和Y相对于Pt的总原子组成低20-99％；所述方法包括步骤：

(i)制备式PtXY的催化剂合金前体，其中该催化剂合金前体中X和Y的总原子百分比为至少50原子百分比；

(ii)使该催化剂合金前体经历足以使X和/或Y的一部分从该催化剂合金前体浸出的条件，以提供该去合金化催化剂。