[发明专利]红外线屏蔽片及其制造方法以及其用途

权利要求书

1.一种红外线屏蔽片，其具备含有微粒的高折射率树脂层和含有微粒的低折射率树脂层交替层叠而得到的层叠膜；其特征在于，

至少一层所述低折射率树脂层的在波长550nm处的折射率减去在780nm～2500nm的任意波长处的折射率而得到的值为0.1以上，

所述低折射率树脂层在550nm以上且所述任意波长以下的任意波长处显示出比所述高折射率树脂层的折射率低的折射率，

所述高折射率树脂层中含有的微粒的含有率相对于所述高折射率树脂层整体为40重量％以上且95重量％以下，所述低折射率树脂层中含有的微粒的含有率相对于所述低折射率树脂层整体为40重量％以上且95重量％以下，

所述高折射率树脂层和所述低折射率树脂层中含有的微粒的平均一次粒径或平均分散粒径为300nm以下。

2.如权利要求1所述的红外线屏蔽片，其中，

所述高折射率树脂层的在波长550nm处的折射率减去在780nm～1500nm的任意波长处的折射率而得到的值为0.1以下，

所述低折射率树脂层的在波长550nm处的折射率减去在780nm～1500nm的任意波长处的折射率而得到的值为0.1以上。

3.如权利要求1所述的红外线屏蔽片，其中，

所述低折射率树脂层在780nm～2500nm的任意波长处显示出比所述高折射率树脂层的折射率低的折射率，

至少一层所述高折射率树脂层和/或至少一层所述低折射率树脂层的在780nm～2500nm的任意波长处的光学厚度的QWOT系数为1.5以上。

4.如权利要求2所述的红外线屏蔽片，其中，

所述高折射率树脂层和所述低折射率树脂层各自的表面电阻为1kΩ/□以上，

所述高折射率树脂层和所述低折射率树脂层的合计层数为3以上，

所述高折射率树脂层和所述低折射率树脂层各自的在780nm～1500nm的任意波长处的光学厚度为195nm～375nm。

5.如权利要求1～4中任一项所述的红外线屏蔽片，其中，

所述高折射率树脂层和所述低折射率树脂层各自的表面电阻为1kΩ/□以上，

所述高折射率树脂层和所述低折射率树脂层的合计层数为4以上。

6.如权利要求1所述的红外线屏蔽片，其中，所述红外线屏蔽片的可见光透射率为50％以上，雾度为8％以下。

7.如权利要求1所述的红外线屏蔽片，其中，至少一层所述高折射率树脂层含有选自由氧化钛、氧化锆、氧化铪、氧化钽、氧化钨、氧化铌、氧化铈、氧化铅、氧化锌、金刚石、硼化物及氮化物组成的组中的至少一种微粒。

8.如权利要求1所述的红外线屏蔽片，其中，至少一层所述低折射率树脂层含有选自由氧化锡、氧化铟、氧化锌及氧化钨组成的组中的至少一种微粒。

9.如权利要求8所述的红外线屏蔽片，其中，至少一层所述低折射率树脂层含有选自由锑掺杂氧化锡、锡掺杂氧化铟、镓掺杂氧化锌、缺氧氧化钨及铯掺杂氧化钨组成的组中的至少一种微粒。

10.如权利要求8所述的红外线屏蔽片，其中，至少一层所述低折射率树脂层含有二氧化硅微粒。

11.如权利要求10所述的红外线屏蔽片，其中，所述二氧化硅微粒为中空二氧化硅微粒。

12.如权利要求8所述的红外线屏蔽片，其中，

至少一层所述低折射率树脂层含有选自所述组中的至少一种非中空微粒，

至少一层所述低折射率树脂层含有中空微粒。

13.如权利要求1所述的红外线屏蔽片，其中，所述红外线屏蔽片还具有选自由胆甾型液晶膜、双折射多层膜及红外线吸收色素组成的组中的至少一种。