[发明专利]光倍增管、图像传感器及使用PMT或图像传感器的检验系统

权利要求书

1.一种光倍增管，其包括：

半导体光电阴极；及

光电二极管，其包含：

p掺杂型半导体层；

n掺杂型半导体层，其形成于所述p掺杂型半导体层的第一表面上以形成二极管；及

纯硼层，其形成于所述p掺杂型半导体层的第二表面上,其中所述半导体光电阴极包括硅，且其中所述半导体光电阴极进一步包括在至少一个表面上的纯硼涂层。

2.根据权利要求1所述的光倍增管，其中所述半导体光电阴极与所述光电二极管之间的间隙小于1毫米。

3.根据权利要求2所述的光倍增管，其中所述半导体光电阴极与所述光电二极管之间的间隙小于500微米。

4.根据权利要求1所述的光倍增管，其中所述半导体光电阴极的所述硅包括相对的表面，且所述半导体光电阴极包括分别设置于所述相对的表面上的第一纯硼涂层和第二纯硼涂层。

5.根据权利要求1所述的光倍增管，其中所述半导体光电阴极进一步包括(a)设置于所述硅的光接收表面上的抗反射层；或(b)设置于所述硅的电子发射表面上的活化层。

6.一种用于检验样品的系统，所述系统包括：

激光系统，其用于产生光；

第一组件，其用于将所述光引导到所述样品；

一或多个检测器；及

第二组件，其用于将光从所述样品引导到所述一或多个检测器，

所述一或多个检测器包含光倍增管，所述光倍增管包括：

半导体光电阴极；及

光电二极管，其包含：

p掺杂型半导体层；

n掺杂型半导体层，其形成于所述p掺杂型半导体层的第一表面上以形成二极管；及

纯硼层，其形成于所述p掺杂型半导体层的第二表面上，其中所述半导体光电阴极包括硅，所述硅具有在至少一个表面上的纯硼涂层。

7.根据权利要求6所述的系统，其中所述半导体光电阴极包括(a)反射模式光电阴极；或(b)透射模式光电阴极。

8.根据权利要求7所述的系统，当取决于选项(b)时，其中所述光电阴极进一步包括抗反射层。

9.根据权利要求6所述的系统，其中所述第一组件以斜入射角将所述光引导到所述样品。

10.根据权利要求6所述的系统，其中在所述一或多个检测器为包括两个检测器的多个检测器的情况时，所述两个检测器经配置以使得第一检测器响应于在第一方向上从所述样品散射或反射的光，且第二检测器响应于在第二方向上从所述样品散射或反射的光，所述第二方向不同于所述第一方向。

11.根据权利要求6所述的系统，其中所述光倍增管进一步包括窗，所述窗经配置以透过被从所述样品到所述一或多个检测器引导的所述光，所述窗包含涂布在至少一个表面上的UV抗反射涂层。

12.一种用于检验样品的系统，所述系统包括：

激光系统，其用于产生光；

第一组件，其用于将所述光引导到所述样品；

一或多个检测器；及

第二组件，其用于将光从所述样品引导到所述一或多个检测器，

其中所述一或多个检测器包含电子轰击图像传感器，所述电子轰击图像传感器包括：

半导体光电阴极；及

固态图像传感器，其包含：

p掺杂型外延生长半导体层；

栅极电介质层，其形成于所述p掺杂型外延生长半导体层的第一表面上；及

纯硼层，其形成于所述p掺杂型外延生长半导体层的暴露部分上，

其中所述半导体光电阴极包括硅，且

其中所述半导体光电阴极进一步包括在至少一个表面上的纯硼涂层。

13.根据权利要求12所述的系统，其中所述光电阴极进一步包含抗反射层。