[发明专利]用于铜后化学机械平坦化的含水清洗组合物有效
申请号: | 201480028326.3 | 申请日: | 2014-03-13 |
公开(公告)号: | CN105264117B | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
发明(设计)人: | C-Y.柯 | 申请(专利权)人: | 嘉柏微电子材料股份公司 |
主分类号: | C23G1/00 | 分类号: | C23G1/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 宋莉 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 化学 机械 平坦 含水 清洗 组合 | ||
1.用于铜后化学机械平坦化(post-Cu CMP)的含水清洗组合物,其包含:
有机碱;
铜蚀刻剂;
有机配体;
腐蚀抑制剂,其为酰肼化合物;以及
水;
其中,该有机碱的浓度为至少200ppm,该铜蚀刻剂的浓度为至少200ppm,该有机配体的浓度为至少50ppm,且该腐蚀抑制剂的浓度为至少10ppm,
其中该有机配体选自:膦酸、及膦酸与羧酸的组合,
其中该膦酸选自:二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)(DTPMP)、2-膦酰基丁烷-1,2,4-三羧酸(PBTCA)、六亚甲基二胺四(亚甲基膦酸)(HDTMP)、2-羟基膦酰基乙酸(HPAA)、2-羧基乙基膦酸(CEPA)、次膦酰基羧酸聚合物(PCA)、多氨基多醚亚甲基膦酸(PAPEMP)、2-氨基乙基膦酸(AEPn)、N-(膦酰基甲基)亚氨基二乙酸(PMIDA)、氨基三(亚甲基膦酸)(ATMP)、及其组合;且该羧酸选自:甘氨酸、氨基磺酸、二亚乙基三胺五乙酸(DTPA)、柠檬酸、L-半胱氨酸、乙醇酸、乙醛酸、及其组合,
其中该有机碱为选自如下的季铵:氢氧化四甲基铵(TMAH)、氢氧化四乙基铵(TEAH)、氢氧化四丙基铵(TPAH)、氢氧化四丁基铵(TBAH)、氢氧化三(2-羟乙基)甲基铵(THEMAH)、氢氧化十六烷基三甲基铵(CTAH)、胆碱、及其组合,和
其中该铜蚀刻剂为选自如下的含N化合物:哌嗪、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、2-氨基-1-丁醇、3-氨基-1-丙醇、乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二亚乙基三胺、N-甲基乙醇胺、N-二(羟乙基)甘氨酸、三(羟甲基)氨基甲烷(Tris)、及其组合。
2.权利要求1的含水清洗组合物,其中该有机碱的浓度为至少400ppm。
3.权利要求1的含水清洗组合物,其中该铜蚀刻剂的浓度为至少300ppm。
4.权利要求1的含水清洗组合物,其中该有机配体的浓度为至少100ppm。
5.权利要求1的含水清洗组合物,其中该酰肼化合物具有下式:
其中,
R2和R3独立地为氢;
R1和R4独立地为氢、-NHNH2、-C(O)NHNH2、C1-C8烷基、C1-C8烷氧基、-(CH2)nCN、-(CH2)nC(O)NHNH2、-(CH2)nC(O)O(CH2)n、-NHNHC6H5、-(CH2)nC6H5、-C6H5、-C10H7,其中-C6H5和-C10H7为未取代的或独立地被选自卤素、羟基、氨基、-NO2、C1-C4烷基、和C1-C4烷氧基的一个或多个取代基取代,且n为1至3;以及
该酰肼化合物的浓度为至少50ppm。
6.权利要求5的含水清洗组合物,其中R1为H或-NHNH2,且R4为H。
7.权利要求6的含水清洗组合物,其中该酰肼化合物为碳酰肼。
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