[发明专利]富勒烯衍生物和n型半导体材料

权利要求书

1.一种n型半导体材料，其特征在于：

包含后述定义的纯度为99％以上的式(1)所示的富勒烯衍生物，

式(1)：

式中，环A表示C₆₀富勒烯；

R¹表示苯基、己基或2,5,8-三氧杂癸基；且

Ar表示苯基，

所述纯度在将关于碳的元素分析的分析值与理论值之差的绝对值、关于氢的元素分析的分析值与理论值之差的绝对值和关于氮的元素分析的分析值与理论值之差的绝对值之中的最大值设为D_max(％)时，由下式定义：

纯度(％)＝100-D_max(％)。

2.如权利要求1所述的n型半导体材料，其特征在于：

其用于有机薄膜太阳能电池。

3.一种有机发电层，其特征在于：

含有权利要求2所述的n型半导体材料和p型半导体材料。

4.如权利要求3所述的有机发电层，其特征在于：

所述p型半导体材料由作为给体单元具有苯并二噻吩、二噻吩并噻咯或N-烷基咔唑、并且作为受体单元具有苯并噻二唑、噻吩并噻吩或噻吩吡咯二酮的给体受体型π共轭高分子构成。

5.如权利要求4所述的有机发电层，其特征在于：

所述给体受体型π共轭高分子为聚(噻吩并[3,4-b]噻吩-co-苯并[1,2-b:4,5-b’]噻吩)或聚(二噻吩并[1,2-b:4,5-b’][3,2-b:2’,3’-d]噻咯-alt-(2,1,3-苯并噻二唑)。

6.如权利要求4所述的有机发电层，其特征在于：

所述给体受体型π共轭高分子为聚(噻吩并[3,4-b]噻吩-co-苯并[1,2-b:4,5-b’]噻吩)。

7.如权利要求3～6中任一项所述的有机发电层，其特征在于：

所述p型半导体材料为聚-3-己基噻吩或聚[[4,8-双[(2-乙基己基)氧代]苯并[1,2-b:4,5-b’]二噻吩-2,6-二基][3-氟-2-[(2-乙基己基)羰基]噻吩并[3,4-b]噻吩二基]]。

8.如权利要求3～6中任一项所述的有机发电层，其特征在于：

还含有二碘辛烷。

9.一种具备权利要求3～8中任一项所述的有机发电层的光电转换元件。

10.如权利要求9所述的光电转换元件，其特征在于：

其为有机薄膜太阳能电池。