[发明专利]用于垂直磁力异向性薄膜的种子层

权利要求书

1.一种形成具有垂直磁力异向性的磁性薄膜结构的方法，其特征在于，包含以下步骤：

提供一薄膜沉积结构，该薄膜沉积结构具有一界面于一氧化镁层和一铁或含铁的铁磁层之间，其中一垂直磁力异向性发生于该界面；

形成一多层薄膜结构于该界面上，其中该多层薄膜结构包含多个不同晶体对称结构的材料层；

形成一过渡层于具有不同晶体对称结构的每一材料层之间；及

形成一覆盖层于该多个不同晶体对称结构的材料层上，其中该覆盖层为钼层、钒层或铌层，所述覆盖层用于作为FCC晶体生长的模板，

其中该过渡层促进该多个不同晶体对称结构的材料层之间的匹配，从而使该垂直磁力异向性于整个该薄膜沉积结构内进行传播。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：该多个不同晶体对称结构为体心立方和面心立方。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：该过渡层为钼层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：该过渡层为铌层或钒层。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：该钼过渡层促进一BCC晶体对称结构和一FCC晶体对称结构之间的平滑过渡。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：该多个材料层包含多个支撑垂直磁力异向性的材料层，多个材料层包括钴/镍、(钴,铁)/铂、(钴,铁)钯、钴/钌、钴/镍/铂和钴/镍/铁/铂。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：该铌层或钒过渡层有助于BCC晶体对称结构和FCC晶体对称结构之间的平滑过渡。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含以下步骤：

提供一基底；

形成一铁钴硼固定层于该基底上；

形成一氧化镁隧道障壁层于该铁钴硼固定层上；

形成一铁钴硼铁磁自由层于该氧化镁隧道障壁层上；

形成一钼过渡层于该铁钴硼铁磁自由层上；

形成一钴/镍重复多层结构于该钼过渡层上，

其中该覆盖层形成于该钴/镍重复多层结构上；及

退火该结构。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：该铁钴硼铁磁自由层的厚度为1.2纳米。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：该钼过渡层的厚度介于1.0纳米～1.4纳米。

11.如权利要求8所述的方法，其特征在于：该钴层的厚度介于0.5埃～5.0埃，该镍层的厚度介于2.0埃～10埃。

12.一种具有垂直磁力异向性的磁性薄膜结构，其特征在于，包含：

一由钼、钒或铌或其合金形成的种子层，其中该种子层用以促进FCC晶体对称结构的生长；

一FCC材料形成的多层结构，包含至少一具有PMA的磁性元件，其中该多层结构成长于该种子层上；及

一覆盖层，形成于该FCC材料形成的多层结构上，其中该覆盖层为钼层、钒层或铌层，所述覆盖层用于作为FCC晶体生长的模板。

13.一种具有垂直磁力异向性的磁性薄膜结构，其特征在于，包含：

一体心立方晶体对称结构层；

一由钼、钒或铌或其合金形成的过渡层，形成于该体心立方晶体对称结构层上，其中该过渡层用以促进面心立方晶体对称结构的生长；

一FCC材料形成的多层结构，形成于该过渡层上，其中该多层结构包含至少一层具有PMA的磁性材料；及

一覆盖层，形成于该FCC材料形成的多层结构上，其中该覆盖层为钼层、钒层或铌层，所述覆盖层用于作为FCC晶体生长的模板。