[发明专利]双射流式气膜冷却构造及其制造方法

权利要求书

1.一种双射流式气膜冷却构造，

在面临高温气体通路的壁面上设置有使冷却介质朝向所述通路的下游侧喷出的喷出开口；

在隔壁内形成有主通路、一对分支通路以及连通路，所述主通路由向所述喷出开口供给所述冷却介质的正圆孔构成；所述一对分支通路从所述主通路上的分支点分支出来并由将所述喷出开口作为出口的正圆孔构成；所述连通路连通所述主通路和所述分支通路并将所述喷出开口作为出口；

从所述一对分支通路喷出的冷却介质的喷出方向，设定为相对于所述高温气体的流动方向倾斜，以形成使这些冷却介质相互推压到所述壁面的方向的涡流；

所述主通路及分支通路的横截面具有相同的一定内径；

所述连通路具有包络面，该包络面是将通过所述分支点且横截面具有所述一定内径的正圆孔组相连而成；

将从所述一对分支通路起始的各个喷出方向相对于所述高温气体的流动方向的沿所述壁面的横向喷出角度β，设定为夹着所述流动方向并朝向相互相反方向；

所述主通路的轴心方向与所述壁面所形成的主纵向角度α1，设定为大于所述分支通路的轴心方向与所述壁面所形成的分支纵向角度α2。

2.根据权利要求1所述的气膜冷却构造，其特征在于，所述主纵向角度α1与分支纵向角度α2的角度差δ为3～15°。

3.根据权利要求1或2所述的气膜冷却构造，其特征在于，形成所述连通路的所述包络面的后面部为平坦面。

4.根据权利要求1或2所述的气膜冷却构造，其特征在于，所述分支通路的分支点的高度Lc相对于所述主通路与所述壁面垂直的垂直方向上的高度H的比Lc/H为0.3～0.9。

5.根据权利要求1或2所述的气膜冷却构造，其特征在于，从各所述分支通路起的所述横向喷出角度β为10～45°。

6.根据权利要求1或2所述的气膜冷却构造，其特征在于，所述主通路的主纵向角度α1为10～45°。

7.根据权利要求1或2所述的气膜冷却构造，其特征在于，在所述一对分支通路的出口之间沿所述壁面的距离W相对于所述主通路的一定内径D设定为1.0D～5.0D。

8.一种双射流式气膜冷却构造的制造方法，其是通过放电加工来形成权利要求1至7中任一项所述的双射流式气膜冷却构造的制造方法，

通过规定外径的圆柱形加工电极，在面临高温气体通路的壁面上形成所述一定内径的主通路；

同时，一边使所述加工电极相对所述主通路的轴心倾斜一边放电，由此使所述主通路到分支通路连续地形成。