[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，将半导体元件与安装基板接合，所述半导体装置的特征在于，

具备在形成于所述安装基板的第一Ag层和形成于所述半导体元件的第二Ag层之间挟持了的合金层，

所述合金层具有由第一Ag层以及第二Ag层的Ag成分和Sn形成了的Ag3Sn的金属间化合物，包含Ag的多根导线从该合金层的外周侧延伸地配置。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述导线是在同一方向上延伸地配置的。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述导线是从所述合金层的外周侧按照放射状延伸地配置的。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

在所述导线的材质中，除了Ag以外，还添加了Pd、Ni、Cu、Fe、Au、Pt、Al、Sn、Sb、Ti、P中的至少1种以上。

5.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件是宽带隙半导体材料，是碳化硅、氮化镓系材料或者金刚石中的某一个。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件是宽带隙半导体材料，是碳化硅、氮化镓系材料或者金刚石中的某一个。

7.一种半导体装置的制造方法，制造在安装基板上接合了半导体元件的半导体装置，所述半导体装置的制造方法的特征在于，包括：

导线构造体形成工序，在形成于所述安装基板的第一Ag层处，形成平行或者放射状地配置了包含Ag的多根导线的导线构造体；

半导体元件搭载工序，在所述导线构造体中，隔着Sn层搭载安装面的面积比所述导线构造体的外形面积更小并且在所述安装面形成了第二Ag层的所述半导体元件；以及

合金层形成工序，在所述半导体元件搭载工序之后，进行热处理，在接合了所述安装基板和所述半导体元件的接合部处，形成具有Ag3Sn的金属间化合物的合金层。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述导线构造体形成工序中，所述导线构造体被形成为在外周侧具有成为该导线构造体的最大高度的弯曲部，

在所述半导体元件搭载工序中，所述半导体元件搭载于所述导线构造体中的比最大高度的80％低的区域。

9.根据权利要求7或者8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述导线构造体形成工序包括将所述导线以相互平行的方式连接到所述第一Ag层的导线连接工序。

10.根据权利要求7或者8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述导线构造体形成工序包括在使所述导线从所述导线构造体的外侧向内侧延伸的同时连接到所述第一Ag层的导线连接工序。

11.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在将所述第一Ag层以及所述第二Ag层的厚度设为z、将所述导线的导线直径设为x、将配置所述导线的间距设为y的情况下，满足y＝2.5x、z≥0.53x、z≥0.21y。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在将所述Sn层的厚度设为t的情况下，满足

13.根据权利要求7或者8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述导线的导线直径是12μm以上且50μm以下。

14.根据权利要求7或者8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第一Ag层以及所述第二Ag层的厚度是6.3μm以上且26.3μm以下。

15.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

配置所述导线的间距是30μm以上且125μm以下。

16.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

配置所述导线的间距是30μm以上且125μm以下。

17.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

配置所述导线的间距是30μm以上且125μm以下。