[发明专利]使用钨化合物沉积含钨膜的方法和用于沉积含钨膜的包含钨化合物的前体组合物

权利要求书

1.使用钨化合物沉积含钨膜的方法，其包括使包含由以下化学式1所示的钨化合物的气体与衬底表面接触：

其中，在化学式1中，

R¹至R⁶的每一个独立地包括H或C_1-5烷基，

L包括具有的碳数为0-5且包含1至3个氮或氧的非环状或环状中性配体。

2.根据权利要求1所述的含钨膜的沉积方法，其中L包括选自由一氧化碳(CO)、一氧化氮(NO)和乙腈(CH₃CN)所组成的组中的成员。

3.根据权利要求1所述的含钨膜的沉积方法，其中所述钨化合物包括选自由以下所组成的组中的成员：

W(CO)(HC≡CH)₃、W(CO)(CH₃C≡CCH₃)₃、W(CO)(CH₃CH₂C≡CCH₂CH₃)₃、W(CO)(CH₃(CH₂)₂C≡C(CH₂)₂CH3)₃、W(CO)(HC≡CCH₃)₃、W(CO)(HC≡CCH₂CH₃)₃、W(CO)(HC≡C(CH₂)₂CH₃)₃、W(CO)(HC≡C(CH₂)₃CH₃)₃、W(CO)(HC≡C(CH₂)₄CH₃)₃、W(CO)(CH₃C≡CCH₂CH₃)₃)₃、W(CO)(CH₃C≡C(CH₂)₂CH₃)₃、W(CO)(CH₃C≡C(CH₂)₃CH₃)₃、W(CO)(CH₃CH₂C≡C(CH₂)₂CH₃)₃、W(CO)(HC≡CCH(CH₃)₂)₃、W(CO)(HC≡CC(CH₃)₃)₃、W(CO)(HC≡C(CH₂CH(CH₃)₂)₃、W(NO)(HC≡CH)₃、W(NO)(CH₃C≡CCH₃)₃、W(NO)(CH₃CH₂C≡CCH₂CH₃)₃、W(NO)(CH₃(CH₂)₂C≡C(CH₂)₂CH₃)₃、W(NO)(HC≡CCH₃)₃、W(NO)(HC≡CCH₂CH₃)₃、W(NO)(HC≡C(CH₂)₂CH₃)₃、W(NO)(HC≡C(CH₂)₃CH₃)₃、W(NO)(HC≡C(CH₂)₄CH₃)₃、W(NO)(CH₃C≡CCH₂CH₃)₃、W(NO)(CH₃C≡C(CH₂)₂CH₃)₃、W(NO)(CH₃C≡C(CH₂)₃CH₃)₃、W(NO)(CH₃CH₂C≡C(CH₂)₂CH₃)₃、W(NO)(HC≡CCH(CH₃)₂)₃、W(NO)(HC≡CC(CH₃)₃)₃、W(NO)(HC≡C(CH₂CH(CH₃)₂)₃、W(CH₃CN)(HC≡CH)₃、W(CH₃CN)(CH₃C≡CCH₃)₃、W(CH₃CN)(CH₃CH₂C≡CCH₂CH₃)₃、W(CH₃CN)(CH₃(CH₂)₂C≡C(CH₂)₂CH₃)₃、W(CH₃CN)(HC≡CCH₃)₃、W(CH₃CN)(HC≡CCH₂CH₃)₃、W(CH₃CN)(HC≡C(CH₂)₂CH₃)₃、W(CH₃CN)(HC≡C(CH₂)₃CH₃)₃、W(CH₃CN)(HC≡C(CH₂)₄CH₃)₃、W(CH₃CN)(CH₃C≡CCH₂CH₃)₃、W(CH₃CN)(CH₃C≡C(CH₂)₂CH₃)₃、W(CH₃CN)(CH₃C≡C(CH₂)₃CH₃)₃、W(CH₃CN)(CH₃CH₂C≡C(CH₂)₂CH₃)₃、W(CH₃CN)(HC≡CCH(CH₃)₂)₃、W(CH₃CN)(HC≡CC(CH₃)₃)₃和W(CH₃CN)(HC≡C(CH₂CH(CH₃)₂)₃。