[发明专利]射频功率组件及射频信号收发设备有效
申请号: | 201480030190.X | 申请日: | 2014-09-23 |
公开(公告)号: | CN105637621B | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 黄安;林燕海;刘伟 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射频 功率 组件 信号 收发 设备 | ||
1.一种射频功率组件,其特征在于,包括第一器件、第二器件及第一邦定线组,第一器件和第二器件分别焊接在板体的同一侧,
所述第一邦定线组包括至少三个第一邦定线单元,每两个所述第一邦定线单元之间有间距,所述第一邦定线单元包括至少一根呈弧线形状的邦定线,所述邦定线的弧高顶点远离所述板体,每个所述第一邦定线单元的一端电连接至所述第一器件的电极,每个所述第一邦定线单元的另一端电连接至所述第二器件的电极,以在所述第一器件与所述第二器件之间进行射频信号传输,
其中,所述第一邦定线组中位于两侧的第一邦定线单元的弧高高于所述第一邦定线组中其他位置的第一邦定线单元的弧高,且所述第一邦定线组中位于中心区域的第一邦定线单元的弧高低于所述第一邦定线组中其他位置的第一邦定线单元的弧高,以使得通过所述至少三个第一邦定线单元的电流相同,或者通过任意两个第一邦定线单元的电流之间的相位差小于预设门限值。
2.根据权利要求1所述的射频功率组件,其特征在于,
当所述第一邦定线组包括多于三个第一邦定线单元时,所述第一邦定线组中位于两侧与所述中心区域之间的第一邦定线单元的弧高从所述第一邦定线组两侧向所述中心区域方向依次降低。
3.根据权利要求1所述的射频功率组件,其特征在于,所述第一邦定线组的中心区域包括一个第一邦定线单元。
4.根据权利要求2所述的射频功率组件,其特征在于,所述第一邦定线组的中心区域包括一个第一邦定线单元。
5.根据权利要求1所述的射频功率组件,其特征在于,所述第一邦定线组的中心区域包括至少两个弧高相等的第一邦定线单元。
6.根据权利要求2所述的射频功率组件,其特征在于,所述第一邦定线组的中心区域包括至少两个弧高相等的第一邦定线单元。
7.如权利要求1所述的射频功率组件,其特征在于,相邻的两个所述第一邦定线单元之间的距离相等。
8.如权利要求1所述的射频功率组件,其特征在于,所述第一邦定线单元包括多根邦定线,所述多根邦定线的弧高相同,所述第一邦定线单元的弧高顶点为其中任意一根邦定线的弧高顶点。
9.如权利要求2所述的射频功率组件,其特征在于,所述第一邦定线单元包括多根邦定线,所述多根邦定线的弧高相同,所述第一邦定线单元的弧高顶点为其中任意一根邦定线的弧高顶点。
10.如权利要求3所述的射频功率组件,其特征在于,所述第一邦定线单元包括多根邦定线,所述多根邦定线的弧高相同,所述第一邦定线单元的弧高顶点为其中任意一根邦定线的弧高顶点。
11.如权利要求4所述的射频功率组件,其特征在于,所述第一邦定线单元包括多根邦定线,所述多根邦定线的弧高相同,所述第一邦定线单元的弧高顶点为其中任意一根邦定线的弧高顶点。
12.如权利要求5所述的射频功率组件,其特征在于,所述第一邦定线单元包括多根邦定线,所述多根邦定线的弧高相同,所述第一邦定线单元的弧高顶点为其中任意一根邦定线的弧高顶点。
13.如权利要求6所述的射频功率组件,其特征在于,所述第一邦定线单元包括多根邦定线,所述多根邦定线的弧高相同,所述第一邦定线单元的弧高顶点为其中任意一根邦定线的弧高顶点。
14.如权利要求7所述的射频功率组件,其特征在于,所述第一邦定线单元包括多根邦定线,所述多根邦定线的弧高相同,所述第一邦定线单元的弧高顶点为其中任意一根邦定线的弧高顶点。
15.根据权利要求1所述的射频功率组件,其特征在于,所述第一邦定线组是以所述第一邦定线组的中间位置为对称轴的轴对称结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造