[发明专利]氮氧化物荧光体粉末有效

专利信息
申请号: 201480030239.1 申请日: 2014-05-26
公开(公告)号: CN105247011B 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 隅野真央;酒井拓马;岩下和树;藤永昌孝;治田慎辅 申请(专利权)人: 宇部兴产株式会社
主分类号: C09K11/64 分类号: C09K11/64;C09K11/08;H01L33/50
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 王永红
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 氧化物 荧光 粉末
【权利要求书】:

1.氮氧化物荧光体粉末,其包含以下的组成式表示的α型塞隆,

组成式:

Cax1Eux2Ybx3Si12-(y+z)Al(y+z)OzN16-z

(其中,式中,0.0<x1≤2.0、0.0000<x2≤0.0100、0.0000<x3≤0.0100、0.4≤x2/x3≤1.4、1.0≤y≤4.0、0.5≤z≤2.0)。

2.如权利要求1所述的氮氧化物荧光体粉末,其特征在于,

所述x1、x2、x3、y、z为0.9<x1≤1.5、0.0035≤x2≤0.0060、0.0040≤x3≤0.0080、0.6≤x2/x3≤1.1、2.0≤y≤3.0、1.0≤z≤1.5。

3.如权利要求1或2所述的氮氧化物荧光体粉末,其特征在于,

通过450nm的波长的光而被激发,发出主波长成为565nm~577nm的荧光,外部量子效率为41%以上。

4.权利要求1~3中任一项所述的氮氧化物荧光体粉末的制造方法,其特征在于,具有:

第一工序,以成为组成式表示的组成的方式,混合硅源、铝源、钙源、铕源、和镱源,在非活性气体氛围中,在1500~2000℃的温度范围烧成,由此得到由上述通式表示的氮氧化物烧成物,

组成式:

Cax1Eux2Ybx3Si12-(y+z)Al(y+z)OzN16-z

(其中,式中,0.0<x1≤2.0,0.0000<x2≤0.0100,0.0000<x3≤0.0100,0.4≤x2/x3≤1.4,1.0≤y≤4.0,0.5≤z≤2.0);以及

第二工序,在非活性气体氛围中,在1100~1600℃的温度范围对所述氮氧化物烧成物进行热处理。

5.如权利要求4所述的氮氧化物荧光体粉末的制造方法,其特征在于,

所述硅源为氮化硅粉末,所述氮化硅粉末的含氧量为0.2~0.9质量%、平均粒径为1.0~12.0μm、比表面积为0.2~3.0m2/g。

6.发光装置,其具备发光源和荧光体,发光源包括发光二极管,其特征在于,荧光体至少使用权利要求1~3中任一项所述的氮氧化物荧光体粉末。

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