[发明专利]阻气性膜及其制造方法

权利要求书

1.一种阻气性膜，其具有基材、第1阻隔层和第2阻隔层，

所述第1阻隔层配置于所述基材的至少一面，膜密度为1.5～2.1g/cm³且含有无机化合物，

所述第2阻隔层形成于所述基材的与形成有上述第1阻隔层的一侧相同侧的面，含有选自长周期式周期表的第2～14族的元素中的至少1种添加元素(其中不包括硅和碳)、硅原子及氧原子，且氧原子相对于硅原子的存在比(O/Si)为1.4～2.2，氮原子相对于硅原子的存在比(N/Si)为0～0.4。

2.根据权利要求1所述的阻气性膜，其中，所述添加元素为选自硼(B)、镁(Mg)、铝(Al)、钙(Ca)、钛(Ti)、锌(Zn)、镓(Ga)、锗(Ge)、锆(Zr)及铟(In)中的至少1种。

3.根据权利要求2所述的阻气性膜，其中，所述添加元素为选自硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)及铟(In)中的至少1种。

4.根据权利要求3所述的阻气性膜，其中，所述添加元素为铝(Al)。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的阻气性膜，其具有依次含有所述基材、所述第1阻隔层和所述第2阻隔层的结构。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的阻气性膜，其具有所述第1阻隔层和所述第2阻隔层，且所述第1阻隔层和所述第2阻隔层的总计为3层以上，与所述基材最接近侧的阻隔层为所述第1阻隔层，距所述基材最远侧的阻隔层为所述第2阻隔层。

7.一种阻气性膜的制造方法，其是权利要求1～6中任一项所述的阻气性膜的制造方法，

该方法包括：在所述基材的至少一面涂布含有所述无机化合物或其前体的第1涂布液而形成第1涂膜，并对所述第1涂膜进行改性处理，从而形成第1阻隔层的工序。

8.根据权利要求7所述的阻气性膜的制造方法，其中，所述形成第1阻隔层的工序包括：通过使用了硅化合物的溶胶凝胶法、或者聚硅氮烷或聚硅氧烷的改性而形成所述第1阻隔层。

9.根据权利要求8所述的阻气性膜的制造方法，其中，所述形成第1阻隔层的工序包括：通过聚硅氮烷的改性而形成所述第1阻隔层。

10.根据权利要求7～9中任一项所述的阻气性膜的制造方法，该方法还包括：在所述基材的与形成所述第1阻隔层的一侧相同侧的面上涂布含有聚硅氮烷、含有选自长周期式周期表的第2～14族的元素中的至少一种添加元素(其中不包括硅和碳)的添加化合物的涂布液而形成第2涂膜，并对所述第2涂膜进行改性处理，从而形成第2阻隔层的工序。

11.根据权利要求10所述的阻气性膜的制造方法，其中，所述第2涂膜的改性处理为真空紫外线照射处理。

12.一种电子器件，其具有由权利要求1～6中任一项所述的阻气性膜或权利要求7～11中任一项所述的制造方法而制造的阻气性膜。