[发明专利]带贯通电极的配线基板、其制造方法以及半导体装置在审
| 申请号： | 201480030640.5 | 申请日： | 2014-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN105393346A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 吉田智洋 | 申请（专利权）人： | 凸版印刷株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/15;H05K3/10;H05K3/14;H05K3/18;H05K3/46 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 贯通 电极 配线基板 制造 方法 以及 半导体 装置 | ||
1.一种带贯通电极的配线基板，其是基材为玻璃、在其内部具有贯通电极的多层构造，
该带贯通电极的配线基板的特征在于，
所述基材的正反面的第一层的配线层和所述贯通电极形成于玻璃内部。
2.根据权利要求1所述的带贯通电极的配线基板，其特征在于，
在所述配线基板中，贯通电极部分的主要材料是Cu、Ag、Au、Ni、Pt、Pd、Ru、Fe或者含有这些金属的化合物中的某一种。
3.一种带贯通电极的配线基板的制造方法，其特征在于，具有下述步骤：
在玻璃内部形成第一层的配线和成为支承贯通电极的焊盘的部分；
仅在所述玻璃的正面形成金属层；
从背面的支承所述贯通电极的焊盘起，仅在成为正面的该焊盘的部分的所述玻璃处，形成贯通孔；
利用导电性物质对所述贯通孔进行填埋；
在所述背面形成金属层；以及
对所述玻璃的正反面的所述金属层进行研磨，直至玻璃面露出为止。
4.根据权利要求3所述的带贯通电极的配线基板的制造方法，其特征在于，
利用导电性物质对所述配线基板的贯通孔进行填埋的工序，通过电解镀敷法，利用层积法仅对所述贯通孔的内部选择性地进行填埋。
5.根据权利要求3或4所述的带贯通电极的配线基板的制造方法，其特征在于，
在所述配线基板中，贯通电极部分的主要材料是Cu、Ag、Au、Ni、Pt、Pd、Ru、Fe或者含有这些金属的化合物中的某一种。
6.一种半导体装置，其特征在于，
使用权利要求1中记载的带贯通电极的配线基板，在其板面最上层部搭载有半导体元件。
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