[发明专利]蚀刻组合物

权利要求书

1.一种蚀刻组合物，其含有包含阴离子及阳离子的盐、硼化合物以及溶剂，所述阴离子具有氟原子与磷原子以单键键合而成的结构，

所述硼化合物是选自结构中包含硼及与所述硼键合的卤素的路易斯酸、所述路易斯酸的盐、以及产生所述路易斯酸的化合物中的至少1种，

所述包含阴离子及阳离子的盐的含有率为整体的5质量％～90质量％。

2.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，所述阳离子为金属离子或者金属络合物离子。

3.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，所述阳离子为金属离子。

4.如权利要求1所述的蚀刻组合物，所述包含阴离子及阳离子的盐的含有率为整体的10质量％～30质量％。

5.一种蚀刻组合物，其含有下述通式(1)所示的作为铵离子与磷酸根离子的盐的化合物、硼化合物以及溶剂，

[NR₄]⁺·[PX₆]^-(1)

式中，R为氢原子，X分别独立地为F、Cl、Br或I，X的至少1个为F，

所述硼化合物是选自结构中包含硼及与所述硼键合的卤素的路易斯酸、所述路易斯酸的盐、以及产生所述路易斯酸的化合物中的至少1种。

6.如权利要求5所述的蚀刻组合物，所述包含阴离子及阳离子的盐的含有率为整体的10质量％～30质量％。

7.如权利要求5所述的蚀刻组合物，其中，所述通式(1)所示的化合物的含有率为整体的5质量％～90质量％。

8.如权利要求7所述的蚀刻组合物，其中，所述通式(1)所示的化合物与所述硼化合物的含有率为整体的5质量％～90质量％。

9.如权利要求1～8中任一项所述的蚀刻组合物，其还含有增稠剂以及微粒中的至少一方。

10.一种无机薄膜的去除方法，其包括以下工序：使用权利要求1～9中任一项所述的蚀刻组合物而去除无机薄膜。

11.如权利要求10所述的无机薄膜的去除方法，其包括以下工序：利用印刷法，将权利要求1～9中任一项所述的组合物涂布于无机薄膜上；以及通过在所述涂布后进行加热而去除无机薄膜。

12.一种基板，其利用权利要求10或11所述的方法而获得。

13.一种太阳能电池单元，其使用权利要求10或11所述的方法而获得。