[发明专利]固态存储设备中的读数电压计算

权利要求书

1.一种校准一个或多个固态存储设备的方法，所述方法包括：

针对具有已知的编程/擦除循环计数特性的第一固态驱动器来确定读数电压电平偏移与反转比特计数之间的关系；

至少部分地基于所确定的关系来生成将反转比特计数与读数电压电平偏移进行关联的索引数据；以及

将所述索引数据存储在所述第一固态驱动器或者至少第二固态驱动器的存储器中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述关系是在所述反转比特计数的对数值与读数电压电平之间的基本呈线性的关系。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，确定所述读数电压电平偏移与反转比特计数之间的关系包括：使所述第一固态驱动器经历一系列的温度状况。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，确定所述读数电压电平偏移与反转比特计数之间的关系包括：计算在与所述第一固态驱动器的老化的各个阶段对应的离散的时间段处的反转比特计数。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，确定所述读数电压电平偏移与反转比特计数之间的关系包括：使用默认的读数电压电平来在变化的数据保留状况下读取所述第一固态驱动器的存储器的一个或多个页。

6.一种固态存储设备，包括：

非易失性固态存储器阵列，其包括被配置为存储数据的多个非易失性存储器设备；以及

控制器，其被配置为至少通过以下方式来确定针对所述多个非易失性存储器设备的存储器单元的最优读数电压电平：

确定与所述存储器阵列的基准比特流相关联的反转比特计数数据；

访问存储在所述固态存储设备中的将反转比特计数与读数电压电平的偏移进行关联的索引数据；

至少部分地基于与所述基准比特流和所述索引数据相关联的所述反转比特数据来确定经调整的读数电压电平；以及

使用所述经调整的读数电压电平来读取所述存储器阵列的目标比特流。

7.根据权利要求1所述的固态存储设备，其中，所述基准比特流具有与所述索引数据相关联的编程/擦除(P/E)循环特性。

8.根据权利要求1所述的固态存储设备，其中，所述控制器还被配置为使用所述经调整的读数电压电平来解码由与所述目标比特流相关联的存储器单元编码的低位页，并且至少部分地基于经确定的、低位页读数电压电平与高位页读数电压电平之间的关系来解码由所述存储器单元编码的高位页。

9.根据权利要求1所述的固态存储设备，其中，所述索引包括查找表。

10.一种固态存储设备，包括：

非易失性固态存储器阵列，其包括被配置为存储数据的多个非易失性存储器设备；以及

控制器，其被配置为至少通过以下方式来确定针对所述多个非易失性存储器设备的最优读数电压电平：

确定与对基准页的三个或更多个读取中的每一个读取相关联的比特错误计数，所述读取包括在第一、第二以及第三读数电压电平处的读取；

将与所述第一、第二以及第三读数电压电平相关联的所述比特错误计数拟合成比特错误计数相对于读数电压电平的抛物线函数；

计算所述抛物线函数的局部极小值；以及

在与所述抛物线函数的所述局部极小值相关联的经调整的读数电压电平处读取目标页。

11.根据权利要求9所述的固态存储设备，其中，所述第一、第二以及第三读数电压电平是在距默认的读数电压电平预先确定的幅度之内的。

12.根据权利要求9所述的固态存储设备，其中，所述控制器还被配置为：

如果需要低位页，则使用所述经调整的读数电压电平来解码与所述目标页相关联的存储器单元的低位页；以及

如果需要高位页，则至少部分地基于经确定的、低位页读数电压电平与高位页读数电压电平之间的关系来解码所述存储器单元。

13.根据权利要求11所述的固态存储设备，其中，所述低位页读数电压电平与高位页读数电压电平之间的关系是基本呈线性的。

14.根据权利要求9所述的固态存储设备，其中，所述控制器被配置为使用固定的低位页读数电压读取结合对所述基准页的所述三个或更多个读取中的每一个读取来确定所述比特错误计数。