[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201480031054.2 | 申请日： | 2014-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN105247665B | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 鹿内洋志;佐藤宪;后藤博一;篠宫胜;土屋庆太郎;萩本和德 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社;信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/336;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/812 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 张永康,李英艳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，其具有：
硅系基板；
第一缓冲层，该第一缓冲层设置于前述硅系基板上，由含有Al成份的第一层与Al含量比前述第一层少的第二层交互积层而成；
第二缓冲层，该第二缓冲层设置于前述第一缓冲层上，由含有Al成份的第三层与Al含量比前述第三层少的第四层交互积层而成；及，
第三缓冲层，该第三缓冲层设置于前述第二缓冲层上，由含有Al成份的第五层与Al含量比前述第五层少的第六层交互积层而成；
并且，整体来说，前述第二缓冲层的Al含量，比前述第一缓冲层和前述第三缓冲层多；
前述第四层，具有临界膜厚以上的厚度，而且，所述第四层的位错比前述第二层和前述第六层多，
并且，前述临界膜厚是能够确实地发生失配位错的厚度。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，进一步具有有源层，该有源层设置于前述第三缓冲层上；
前述第一层是由含有Al成份的第一子层与Al含量比前述第一子层少的第二子层重复而形成；
前述第五层是由含有Al成份的第三子层与Al含量比前述第三子层少的第四子层重复而形成；
前述第二子层和前述第四子层具有未达到前述临界膜厚的厚度；
前述第二层的Al含量比前述第一子层少，且前述第二层的厚度比前述第二子层厚；
前述第六层的Al含量比前述第四子层少，且前述第六层的厚度比前述第四子层厚；
前述第四层，比前述第二子层和前述第四子层厚，比前述第二层和前述第六层薄。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，前述第二子层、前述第二层、前述第四层、前述第四子层及前述第六层，是由GaN所构成。
4.如权利要求2或3所述的半导体装置，其中，前述第一子层、前述第三层及前述第三子层，是由AlN所构成。
5.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，多个前述第三层的Al含量，距离前述第三缓冲层越近则越少。
6.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，在构成前述第二缓冲层的多数个前述第三层中，配置于前述第二缓冲层的中央部的前述第三层，与配置于前述第二缓冲层的顶面侧和底面侧的前述第三层相比，其Al含量较少。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三垦电气株式会社;信越半导体股份有限公司，未经三垦电气株式会社;信越半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480031054.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体晶圆的评价方法
- 下一篇：一种新型有机肥造粒生产设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
