[发明专利]具有多个发光元件的发光二极管及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管及其制造方法，更具体而言，涉及一种包括多个发光元件的发光二极管及其制造方法。

背景技术

发光二极管广泛用于显示装置及背光单元。另外，由于与现有的白炽灯或荧光灯相比具有较低能耗及较长寿命，因此发光二极管的应用通过取代现有白炽灯、荧光灯等已经扩展至普通照明。

通常，发光二极管在预定正向电压下操作，因此，不能在高电压下操作。为了解决此问题，通过在单个基底上设置多个发光元件并以串联方式将发光元件相互连接，从而开发出能够在高电压下操作的发光二极管。

图1是包括多个发光元件的典型发光二极管的平面图，图2是沿着图1的线A-A截取的发光二极管的横截面视图。

参照图1和图2，发光二极管包括基底21、包括发光元件S1、S2的多个发光元件、绝缘层31、n-接触件33、P-接触件35、互连线37、n-焊盘39a和p-焊盘39b。另外，各发光元件包括n-型半导体层23、有源层25和p-型半导体层27。

多个发光元件相互隔开，且在n-焊盘39a和p-焊盘39b之间通过互连线37以串联方式相互连接。例如，互连线37中的每一个将n-接触件33与p-接触件35连接，所述n-接触件33电连接到一个发光元件的n-型半导体层23，所述p-接触件35电连接到另一发光元件的p-型半导体层27。n-接触件33连接到通过台面蚀刻暴露的n-型半导体层23a，p-接触件35通过透明电极29电连接到p-型半导体层27。

绝缘层31设置在互连线37的下方，且通过互连线37防止单个发光元件中的n-型半导体层23和p-型半导体层27之间发生短路。此外，绝缘层31可以覆盖发光元件和透明电极29的侧表面，以防止其受潮等。

另一方面，通过诸如电子束蒸发或溅射等沉积技术沉积导电材料，然后对所述导电材料进行图案化，以形成n-接触件33、p-接触件35和互连线37。此时，当发光元件具有垂直的侧表面时，很难在发光元件的侧表面上沉积导电材料，由此导致互连线37在发光元件的侧表面上很容易断开。

为了防止互连线37断开，如图2所示，包括发光元件S1、S2的所有发光元件的侧表面相对于基底21的上表面以小于90度的角倾斜。发光元件S1、S2中的每一个具有面向邻近发光元件的倾斜的侧表面28a和与基底21的边缘邻近的倾斜的侧表面28b。

图3是示出使用激光形成发光二极管的切割过程的示意性剖视图。

参照图3，发光元件被形成为具有倾斜的侧表面28a、28b，并且形成透明电极29、绝缘层31和互连线37(见图1)。然后，沿着划线发射激光束，接着断开基底21，这样将发光二极管分成单个芯片。沿着倾斜的侧表面28b之间的区域形成划线。

由此，完成图1和图2所示的发光二极管，所述发光二极管包括均具有倾斜的侧表面28a、28b的发光元件。具体而言，邻近发光二极管边缘设置的发光元件的侧表面由倾斜的侧表面28b构成。

在相关现有技术中，通过形成发光元件的倾斜侧表面来防止互连线37断开。然而，当发光元件的侧表面倾斜时，发光元件的发光区域，即，有源层25的区域减小。倾斜的侧表面28a、28b的较缓斜度引起发光区域的进一步减小。发光元件的发光区域的减小导致光输出恶化且增大正向电压Vf。

在背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本发明背景技术的理解，因此，其可以包含未构成现有技术的信息。

发明内容

【技术问题】

本发明的示例性实施例提供一种发光二极管，包括多个发光元件并能够增加发光元件的发光区域而不会断开互连线。

本发明的示例性实施例提供一种发光二极管，包括多个发光元件并能够降低发光元件的正向电压同时提高光输出。

本发明的其它特征将在下列描述中说明，且将部分地从这种描述中变得明显或可从发明实践中习得。

【技术方案】

本发明的实施例公开了包括设置在基底上的多个发光元件的发光二极管。另外，发光元件中的至少一个包括相对于基底以小于90度的角度倾斜的侧表面和垂直于基底的侧表面。通过这种结构，所述发光二极管向发光元件提供了增加的发光区域，由此降低了发光元件的正向电压，同时提高光输出。