[发明专利]结晶化高分子膜及其制造方法

说明书

一种结晶化高分子膜，含有重均分子量为5万～100万、且在结晶化速度最快的温度下的半结晶时间在180秒～900秒的范围内的高分子(A)，所述结晶化高分子膜的通过DSC法得到的结晶度为20％～80％，依照JIS‑K7105于25℃分别测定总雾度及内部雾度时，所述总雾度与所述内部雾度之差为0.8％以下。

技术领域

本发明涉及结晶化高分子膜及其制造方法。

背景技术

含有高分子的膜作为例如包装材料(例如，参见日本特开2012-180512号公报)、光学材料(例如，参见日本特开平5-152638号公报)而被广泛使用。

由于该膜通过利用挤出法、拉伸法等将高分子成型而制造，所以存在下述情况：成型时施加于高分子的力残留在膜内，成型后的尺寸由于温度条件等而变化。

为了抑制上述那样的膜的尺寸变化，已知有通过膜的材质、使膜中的高分子进行部分结晶化来使膜变硬的方法(例如，参见日本特开2011-162713号公报)。

此外，已知有通过控制特定高分子的结晶状态来制造压电性材料的方法(例如，参见日本特开2012-235086号公报)。

发明内容

上述专利文献(日本特开2012-235086号公报)中，在膜的成型后，将膜中的高分子加热至该高分子的结晶化温度附近，由此将膜中的高分子进行结晶化(以下，也将该工序称为“结晶化工序”或“退火工序”)。

在该结晶化工序(退火工序)中，为了对膜进行加热和维持其形状而使辊等加热部件与膜的主面接触的情况较多。此外，在结晶化工序中，为了将高分子结晶化，需要使膜为高分子的玻璃化温度以上的温度。

由于上述理由，在通过结晶化工序而进行了结晶化的膜中，加热部件表面的凹凸转印至膜的主面，从而容易在膜表面的面内产生不均匀的凹凸。结果，由于该膜表面的凹凸而导致膜的表面雾度(有时也被称为外部雾度)容易上升。

已发现该膜表面的凹凸(即，膜的表面雾度)的问题并不容易通过减少结晶化工序中使用的与膜的主面接触的加热部件表面的凹凸而消除。

另一方面，关于含有高分子的膜，有时要求提高膜面内的雾度的均匀性。

此处，对膜的雾度(总雾度、表面雾度、内部雾度)进行说明。

总雾度由表面雾度与内部雾度之和表示。此处，表面雾度主要取决于膜表面的凹凸的状态，内部雾度取决于膜内部的结晶状态(结晶结构的疏密)。

通过控制膜的结晶度等，比较容易使内部雾度在膜面内均匀。

另一方面，使表面雾度在膜面内均匀是困难的。其理由是因为，使膜的成型条件、尤其是成型时施加于膜的力在膜面内均匀是困难的。

由上述理由可知，对于高分子膜(膜)而言，为了提高总雾度在膜面内的均匀性(以下，也称为“面内均匀性”)，重要的是降低表面雾度。

本发明是鉴于上述情况而完成的，其课题在于达成以下目的。

即，本发明的目的是提供表面雾度被降低的结晶化高分子膜及其制造方法。

本申请的发明人发现，通过选择具有规定的结晶化速度的高分子作为形成膜的高分子(优选进一步通过提高用于结晶化的加热部件的与膜接触的表面的脱模性)，能够降低得到的结晶化高分子膜的表面雾度，从而基于该发现完成了本发明。

即，用于解决上述课题的具体手段如下所述。

<1>一种结晶化高分子膜，其中，

含有重均分子量为5万～100万、且在结晶化速度最快的温度下的半结晶时间在180秒～900秒的范围内的高分子(A)，