[发明专利]抗反射OLED构造

权利要求书

1.一种显示元件，所述显示元件包括：

有机发光二极管(OLED)，所述有机发光二极管(OLED)具有包括漫反射发射区域和邻近的漫反射非活性区域的顶面；以及

邻近所述顶面的抗反射叠层，所述抗反射叠层包括：

邻近所述顶面设置的吸收偏振器；

设置在所述顶面与所述吸收偏振器之间的反射偏振器，其中，

所述反射偏振器与所述吸收偏振器接触，所述反射偏振器选自聚合物多层光学膜和连续/分散相偏振器，每个偏振器的快光轴对齐；

设置在所述顶面与所述反射偏振器之间的延迟器，所述延迟器的快光轴与所述吸收偏振器和所述反射偏振器的快光轴成角度对齐；以及

位于所述延迟器和所述反射偏振器之间的漫射元件。

2.根据权利要求1所述的显示元件，其中所述漫反射发射区域具有大于所述漫反射非活性区域的第二漫反射率的第一漫反射率。

3.根据权利要求1所述的显示元件，其中所述漫反射发射区域和所述邻近的漫反射非活性区域各自实质上为保偏漫反射器。

4.根据权利要求1所述的显示元件，其中所述延迟器为四分之一波长延迟器，所述四分之一波长延迟器具有以45度角与所述吸收偏振器的快光轴对齐的延迟器快光轴。

5.根据权利要求1所述的显示元件，其中所述漫反射发射区域和所述邻近的漫反射非活性区域各自通过反射率的角分布来表征，所述反射率的角分布具有大于10度的半宽。

6.根据权利要求1所述的显示元件，其中所述漫反射发射区域和所述邻近的漫反射非活性区域各自通过反射率的角分布来表征，所述反射率的角分布具有大于5度的半宽。

7.根据权利要求1所述的显示元件，其中所述漫反射发射区域和所述邻近的漫反射非活性区域各自通过反射率的角分布来表征，所述反射率的角分布具有大于3度的半宽。

8.根据权利要求2所述的显示元件，其中所述第一漫反射率和所述第二漫反射率各自通过占总反射率的20％和80％之间的镜面反射分量来表征。

9.根据权利要求2所述的显示元件，其中所述第一漫反射率和所述第二漫反射率各自通过大于总反射率的20％的漫反射分量来表征。

10.根据权利要求2所述的显示元件，其中所述第一漫反射率和所述第二漫反射率各自通过大于总反射率的30％的漫反射分量来表征。

11.根据权利要求1所述的显示元件，其中在与不具有所述抗反射叠层的所述OLED进行比较时，发射增益大于1.1。

12.根据权利要求1所述的显示元件，其中所述OLED的顶面与所述延迟器之间的间距大于10微米。

13.根据权利要求1所述的显示元件，其中所述OLED的顶面与所述延迟器之间的间距大于50微米。

14.根据权利要求1所述的显示元件，其中所述OLED的顶面与所述延迟器之间的间距大于100微米。

15.根据权利要求1所述的显示元件，其中对于来自所述漫反射发射区域的光发射，副像发光强度占原像发光强度的小于50％。

16.根据权利要求1所述的显示元件，其中对于来自所述漫反射发射区域的光发射，副像发光强度占原像发光强度的小于30％。

17.根据权利要求1所述的显示元件，其中对于来自所述漫反射发射区域的光发射，副像发光强度占原像发光强度的小于20％。

18.根据权利要求1所述的显示元件，所述显示元件具有大于1.1的发射增益、小于0.1的模糊峰值、以及小于3.0的反射增益。