[发明专利]有机电子器件的制造方法有效
申请号: | 201480032213.0 | 申请日: | 2014-09-30 |
公开(公告)号: | CN105264685B | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | 咸允慧;李政炯 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电子器件 制造 方法 | ||
本申请涉及一种有机电子器件的制造方法、由此制造的有机电子器件、以及所述有机电子器件的用途。在制造有机电子器件的工艺中,以简单的工艺使垫片区域的暴露可以有效地进行,从而阻止污染等的渗入,并且提供通过所述方法制造的有机电子器件以及所述有机电子器件的用途。
技术领域
本发明涉及一种有机电子器件的制造方法,由此制造的有机电子器件,以及所述有机电子器件的用途。
背景技术
有机电子器件(OED;Organic Electronic Device)的类型包括有机发光器件(OLED;Organic Light Emitting Device)、有机太阳能电池、有机光导体(OPC)、或有机晶体管等。
由于有机电子器件包括易受外界因素如水分等影响的有机层,因此例如在专利文献1至4等中公开了能够阻止外界物质渗入的结构。
尤其是,与使用具有优异的阻挡性作为基板的玻璃基板的结构不同,在使用聚合物膜等作为基板的柔性结构中,阻止这类外界物质的渗入是一个更重要的问题。
因此,在柔性结构中,在制造器件的过程中,可能需要在器件的整个表面形成阻挡层的工艺。
然而,即使在整个表面形成阻挡层时,也必须将与外界电路等连接的垫片区域(pad region)暴露。因此,在考虑使用掩模(mask)等来形成阻挡层以便于暴露时,由于工艺数量的增加,从而难以形成均匀的阻挡层。尤其是,当应用原子层沉积(ALD(Atomic LayerDeposition))作为形成具有优异阻挡性的阻挡层的方法时,由于所述工艺的特征,应用掩模工艺是不容易的。可替代地,可以考虑在形成阻挡层之前将压敏粘合剂片等与垫片区域粘合,以及在形成阻挡层之后除去压敏粘合剂片层的工艺(例如,参照参考6)。
然而,根据所述工艺,由压敏粘合剂片等所产生的对垫片区域的污染发生的可能性非常高,从而使器件的性能大大降低。
[现有技术文献]
专利文献
专利文献1:美国专利第6,226,890号
专利文献2:美国专利第6,808,828号
专利文献3:日本公开专利第2000-145627号
专利文献4:日本公开专利第2001-252505号
专利文献5:日本专利第3861758号
专利文献6:韩国公开专利第2012-0072710号
发明内容
发明要解决的课题
本发明提供一种有机电子器件的制造方法、由此制造的有机电子器件、以及所述有机电子器件的用途。本申请中,在制造有机电子器件的工艺期间,可以通过简单的工艺来有效地进行垫片区域的暴露,从而阻止污染物的渗入等,并且提供了由所述方法制造的有机电子器件、和所述有机电子器件的用途。
解决课题的方法
一方面,根据本申请的有机电子器件的制造方法,在形成有器件区域和垫片区域的基板上形成无机材料层(如阻挡层)的过程中,通过在垫片区域上形成具有与垫片区域的粘合性低的聚合物层来进行掩模,以及在形成无机材料层之后通过除去聚合物层来使垫片区域暴露。
因此,本申请的方法可以包括:至少在基板的垫片区域中形成第一聚合物膜的步骤,在所述基板上形成有包括依次叠加的第一电极层、有机层和第二电极层的器件区域以及与第一电极层和第二电极层中至少一个进行电连接的垫片区域;在基板上形成无机材料层的步骤;以及除去第一聚合物膜而暴露垫片区域的步骤。
在这里,对形成有器件区域和垫片区域的基板的类型没有特别的限制,可以应用已知的类型。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金显示有限公司,未经乐金显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480032213.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:传感器安装结构
- 下一篇:在基板中嵌入金属材料的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择