[发明专利]离子操作方法和设备

权利要求书

1.一种离子操作设备，包括：

a.一对表面；

b.电极的阵列，耦接至所述表面，将RF电势施加于所述表面中的至少一个以产生抑制带电粒子接近所述表面中的任一个的赝势；和

c.同时施加的DC电势，用于控制并限制离子在所述表面之间的移动，

其中，所述电极的阵列包括至少两个内电极的阵列、第一外电极阵列和第二外电极阵列，其中，所述内电极的阵列和外电极的阵列均沿着各个表面的长度延伸，其中，所述至少两个内电极沿着各个表面的长度被定位为彼此直接相邻，其中，所述第一外电极阵列沿着各个表面的长度被定位在所述内电极的阵列的一侧并且所述第二外电极阵列沿着各个表面的长度被定位在所述内电极的阵列的另一侧。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，将所述DC电势施加于所述第一外电极阵列和所述第二外电极阵列，并且其中，将具有叠加的电场的所述RF电势施加于所述内电极的阵列。

3.根据权利要求1所述的设备，其中，将所述RF电势与所述DC电势一起施加在所述第一外电极阵列和所述第二外电极阵列上。

4.根据权利要求1所述的设备，其中，将所述RF电势仅施加于两个所述表面中的一个。

5.根据权利要求1所述的设备，其中，将所述RF电势施加于两个所述表面中的两个。

6.根据权利要求2所述的设备，其中，至少一个内电极上的RF与相邻的电极异相。

7.根据权利要求6所述的设备，其中，各个内电极与该各个内电极相邻的内电极移相以形成所述赝势。

8.根据权利要求7所述的设备，其中，所述内电极与所述内电极的相邻内电极有180度的异相以形成所述赝势。

9.根据权利要求1所述的设备，进一步包括多对表面，其中，允许所述离子传导通过孔并且被一连串的电极引导以在所述多对表面中的不同的表面对之间移动。

10.根据权利要求9所述的设备，其中，所述一连串的电极具有交替的极性的RF电势以防止当所述离子在不同的平行表面对之间移动时离子的损耗。

11.根据权利要求1所述的设备，其中，所述一对表面上的电极形成下列结构中的至少一项：a，T形的结构，允许所述离子在所述T形的结构的接合点处转向；b，Y形的结构，允许所述离子在所述Y形的结构的接合点处转向；c，X形的结构或十字形的结构，允许离子在所述X形的结构或所述十字形的结构的一条或多条边的接合点处转向；以及d，多向的形状，允许所述离子在至该结构的一条或多条边的接合点处转向。

12.根据权利要求2所述的设备，其中，所述电场允许所述离子在环形路径、矩形路径或其它不规则的路径中移动，以允许所述离子不止一次地通过。

13.根据权利要求1所述的设备，其中，所述表面之间的空间包括惰性气体或与离子进行反应的气体。

14.根据权利要求1所述的设备，进一步包括多个回旋级。

15.根据权利要求14所述的设备，其中，以堆叠的方式布置所述多个回旋级。

16.根据权利要求1所述的设备，其中，所述设备耦接至下列各项中的至少一个：电荷检测器、光学检测器和质谱仪。

17.根据权利要求1所述的设备，其中，所述设备被用于执行离子迁移性分离。

18.根据权利要求1所述的设备，其中，从所述设备的外部引入所述离子。

19.根据权利要求18所述的设备，其中，从所述设备的外部引入所述离子并且利用下列各项中的至少一项形成所述离子：光致电离、电晕放电、激光电离、电子冲击、场致电离、化学电离和电喷射。

20.根据权利要求1所述的设备，其中，使用下列各项中的至少一项在所述设备的内部形成所述离子：光致电离、电晕放电、激光电离、电子冲击、场致电离、化学电离和电喷射。

21.根据权利要求2所述的设备，其中，所述电场是静态电场或动态电场。

22.根据权利要求21所述的设备，其中，所述静态电场是DC梯度并且所述动态电场是行波。