[发明专利]贴合晶圆的制造方法

权利要求书

1.一种贴合晶圆的制造方法，其向接合晶圆的表面离子注入氢离子和稀有气体离子的至少一种气体离子而形成离子注入层，将所述接合晶圆的离子注入后的表面与基底晶圆的表面直接贴合或隔着绝缘膜贴合之后，施加热处理，在所述离子注入层使所述接合晶圆的一部分剥离，由此制作在所述基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆，其特征在于，

作为所述接合晶圆和/或所述基底晶圆，使用对剥离晶圆进行伴有减厚的再生加工而得的再生晶圆，该剥离晶圆是在所述贴合晶圆的制造方法中制作贴合晶圆时的副产物，

所述再生晶圆是作为所述伴有减厚的再生加工，进行5μm以上的减厚而得的晶圆，

所述接合晶圆及所述基底晶圆由单晶硅晶圆构成，

在将所述将接合晶圆与基底晶圆贴合之前，测量所述接合晶圆和所述基底晶圆的厚度，选择两晶圆的厚度之差小于5μm的由所述接合晶圆与所述基底晶圆构成的组合来进行贴合。

2.如权利要求1所述的贴合晶圆的制造方法，其特征在于，所述再生晶圆是进行两次以上所述伴有减厚的再生加工而得的晶圆。

3.如权利要求1或2所述的贴合晶圆的制造方法，其特征在于，所述绝缘膜由氧化硅薄膜构成，所述薄膜是SOI层。