[发明专利]In-Ce-O系溅镀靶材及其制造方法

说明书

本发明的目的在于提供一种In‑Ce‑O系溅镀靶材及其制造方法，上述In‑Ce‑O系溅镀靶材尽管包含可获得高折射率膜的以Ce/(In+Ce)原子比计为O.16～0.40的Ce，也可长时间地抑制结核或异常放电的产生。所述溅镀靶材是包含以氧化铟为主成分且含有铈的In‑Ce‑O系氧化物烧结体，且在制造折射率为2.1以上的透明导电膜时使用的In‑Ce‑O系溅镀靶材，上述溅镀靶材中Ce的含量以Ce/(In+Ce)原子比计为0.16～0.40，且粒径5μm以下的氧化铈粒子分散于上述In‑Ce‑O系氧化物烧结体中。

技术领域

本发明涉及一种In-Ce-O系溅镀靶材，所述In-Ce-O系溅镀靶材在制造适用于液晶显示器或有机电致发光显示装置等显示元件、太阳电池、发光二极管等的折射率为2.1以上的透明导电膜时使用，本发明特别是涉及一种透明导电膜的制造时可防止异常放电(电弧击穿(arcing))的In-Ce-O系溅镀靶材及其制造方法。

背景技术

众所周知在氧化铟中添加了铈(Ce)的膜的折射率高，且在光学膜的设计方面为有用的材料。

例如，专利文献1中，揭示了一种含有10质量％～40质量％的氧化铈且剩余部分包含氧化铟的溅镀靶材，亦即，将Ce相对于In、Ce的合计的原子比即Ce/(In+Ce)设定为0.082～0.35的范围的In-Ce-O系溅镀靶材，使用此种溅镀靶材，获得折射率为2.0以上的膜(光碟用保护膜)。

此外，上述溅镀靶材是由In-Ce-O系氧化物烧结体制作而成，所述In-Ce-O系氧化物烧结体在利用冷等静压机(cold isostatic press)将混合了氧化铟原料粉末与氧化铈原料粉末的粉末成形之后，进行烧结而获得。然而，若长期使用如此制作的溅镀靶材，则存在如下课题，即，在靶材表面容易产生结核(nodule)，从而引起异常放电。

而且，专利文献2中记载了如下内容：在将Ce相对于In、Ce的合计的原子比即Ce/(In+Ce)设定为0.005～0.15的范围的In-Ce-O系溅镀靶材中，通过将分散于氧化铟中的氧化铈粒子的直径设为5μm以下，而可防止上述异常放电。

然而，上述专利文献2也记载了如下内容：作为光学膜，为了获得高折射率(折射率例如为2.1以上)而需要增加Ce的添加量，若伴随添加量的增加而Ce/(In+Ce)超过上述0.15，则氧化铈粒子的粒径会超过5μm，从而引起异常放电(参照专利文献2的段落0028)，在增加Ce的添加量的情况下，存在难以获得可防止异常放电的良好的溅镀靶材的问题。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2005-243187号公报(参照权利要求书)

[专利文献2]日本专利特开2005-290458号公报(参照权利要求书)

发明内容

发明要解决的课题

本发明着眼于上述问题而完成，其课题在于提供一种In-Ce-O系溅镀靶材，即便所述In-Ce-O系溅镀靶材的Ce相对于In、Ce的合计的原子比、亦即Ce/(In+Ce)超过上述0.15，也可抑制靶材表面的上述结核的产生而防止异常放电，本发明还提供In-Ce-O系溅镀靶材的制造方法。

解决问题的技术手段

为了解决上述课题本发明人进行了积极研究后发现：通过进行原料粉末的更严格的微细化处理，即便在Ce相对于In、Ce的合计的原子比即Ce/(In+Ce)超过了0.15而处于0.16～0.40的范围内，也可将经电子探针微量分析器(Electron Probe Micro Analyzer，EPMA)分析而检测的In-Ce-O系氧化物烧结体中的氧化铈粒子的结晶粒径调整为5μm以下，结果，抑制上述靶材表面的结核的产生，从而可抑制电弧击穿的产生。