[发明专利]含硅材料、非水电解质二次电池用负极及其制造方法、以及非水电解质二次电池及其制造方法有效
申请号: | 201480033827.0 | 申请日: | 2014-05-01 |
公开(公告)号: | CN105283986B | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
发明(设计)人: | 吉川博树;加茂博道 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | H01M4/48 | 分类号: | H01M4/48;C01B33/113;H01M4/131;H01M4/36 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张永康;李英艳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 材料 水电 二次 电池 负极 及其 制造 方法 以及 | ||
1.一种含硅材料,其能够掺杂锂和脱掺杂,其特征在于,
前述含硅材料是由通式SiOx所表示的氧化硅,并且,0.9≤x<1.6,
前述含硅材料施加有以碳为主体的导电性物质的皮膜,
当使用三极式电池来实行充放电,所述三极式电池是采用将前述含硅材料作为活性物质的工作电极、由金属锂构成的参考电极、由金属锂构成的对电极、及锂离子导电性电解质而构成,在绘出利用以前述参考电极为基准的前述工作电极的电势V对充放电容量Q进行微分而得的微分值dQ/dV与前述电势V之间的关系的曲线图的情况下,在向前述含硅材料脱掺杂锂的方向流通电流的放电时,260mV~320mV之间的前述微分值dQ/dV的极大值A与420mV~520mV之间的前述微分值dQ/dV的极大值B的B/A比为2以下。
2.如权利要求1所述的含硅材料,其中,前述含硅材料含有锂。
3.一种非水电解质二次电池用负极,其特征在于,
其使用权利要求1或2所述的含硅材料,来作为负极活性物质。
4.一种非水电解质二次电池用负极,其特征在于,
其使用权利要求1或2所述的含硅材料与碳类负极材料,来作为负极活性物质。
5.一种非水电解质二次电池,其具备可吸收和释放锂离子的正极与负极、及锂离子导电性电解质,其特征在于,
其使用权利要求3所述的非水电解质二次电池用负极,来作为前述负极。
6.一种非水电解质二次电池,其具备可吸收和释放锂离子的正极与负极、及锂离子导电性电解质,其特征在于,
其使用权利要求4所述的非水电解质二次电池用负极,来作为前述负极。
7.一种非水电解质二次电池用负极的制造方法,其采用能够掺杂锂和脱掺杂的含硅材料来作为负极活性物质,其特征在于,
其具有以下步骤:
前述含硅材料是由通式SiOx所表示的氧化硅,并且,0.9≤x<1.6,
前述含硅材料施加有以碳为主体的导电性物质的皮膜,
并且,挑选B/A比为2以下的前述含硅材料,所述B/A比,是当使用三极式电池来实行充放电,所述三极式电池是采用将前述含硅材料作为活性物质的工作电极、由金属锂构成的参考电极、由金属锂构成的对电极、及锂离子导电性电解质而构成,在绘出利用以前述参考电极为基准的前述工作电极的电势V对充放电容量Q进行微分而得的微分值dQ/dV与前述电势V之间的关系的曲线图的情况下,在向前述含硅材料脱掺杂锂的方向流通电流的放电时,260mV~320mV之间的前述微分值dQ/dV的极大值A与420mV~520mV之间的前述微分值dQ/dV的极大值B的比;及,
采用前述挑选出的含硅材料来作为负极活性物质,并制造非水电解质二次电池用负极。
8.一种非水电解质二次电池的制造方法,所述非水电解质二次电池具备可吸收和释放锂离子的正极与负极、及锂离子导电性电解质,所述非水电解质二次电池的制造方法的特征在于,
其采用通过权利要求7所述的非水电解质二次电池用负极的制造方法制造而成的负极,来作为前述负极。
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