[发明专利]薄膜晶体管阵列及其制造方法、图像显示装置及显示方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列，具有薄膜晶体管而构成，该薄膜晶体管的结构为，在形成有栅电极、与该栅电极连接的栅极布线、电容器电极以及与该电容器电极连接的电容器布线的绝缘基板上的与该栅电极重叠的区域，经由栅极绝缘膜形成有具有包含半导体图案的间隙的源电极和漏电极，该半导体图案被保护层覆盖，并且，该薄膜晶体管按照每1像素而独立地形成有2个，各像素中的2个源电极与2根源极布线分别连接，2个漏电极经由单独的漏极连接电极与该各像素的像素电极连接，

具有将按照每1像素而形成的所述2个薄膜晶体管的源电极彼此连接的源极连接电极，

所述2根源极布线被施加相同的驱动波形。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，

所述源极连接电极至少具有不与栅电极及栅极布线重叠的部分。

3.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管阵列，

所述保护层为沿着所述栅极布线的条纹形状，不仅覆盖所述半导体图案而且还覆盖所述栅极布线。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列，

还具有至少覆盖所述源极布线的绝缘膜。

5.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管阵列，

所述保护层为沿着所述源极布线的条纹形状，不仅覆盖所述半导体图案而且还覆盖所述源极布线。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列，

还具有至少覆盖所述源极连接电极及所述栅极布线的绝缘膜。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，

所述像素电极具有离所述漏电极近的第一电容器和离所述漏电极远的第二电容器。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列，

所述电容器电极在至少与所述像素电极重叠的区域具有狭缝，并被该狭缝分成了离漏电极近侧的第一电容器电极和离漏电极远侧的第二电容器电极，

所述第一电容器由像素电极、作为栅极绝缘膜的第一绝缘膜、第一电容器电极构成，所述第二电容器由像素电极、作为栅极绝缘膜的第一绝缘膜、第二电容器电极构成。

9.如权利要求7或8所述的薄膜晶体管阵列，

还具有：

第二绝缘膜，在所述像素电极之中的所述第一电容器部分之上具有开口部，至少覆盖所述像素电极之中的第二电容器部分、源电极、源极连接电极以及源极布线；以及

上部像素电极，在所述第二绝缘膜之上，经由所述开口部与所述像素电极连接。

10.一种薄膜晶体管阵列的制造方法，为制造权利要求1～9中任一项所述的薄膜晶体管阵列的方法，包括：

在绝缘基板上，形成栅电极、栅极布线、电容器电极及电容器布线的工序；

在所述栅电极、所述栅极布线、所述电容器电极及所述电容器布线之上形成作为栅极绝缘膜的第一绝缘膜的工序；

在所述栅极绝缘膜之上形成源电极、源极布线、源极连接电极、漏电极、漏极连接电极及像素电极的工序；

对所述源电极、所述源极布线、所述源极连接电极、所述漏电极、所述漏极连接电极及所述像素电极的断线或短路进行检查的工序；

根据所述检查的结果，对检查出的短路部位、所述源极布线、所述源极连接电极及所述漏极连接电极的至少1个进行激光切割的工序；

形成半导体的工序；以及

形成对所述半导体进行保护的保护层的工序；

所述激光切割的工序在所述检查的工序之后进行。

11.如权利要求10所述的薄膜晶体管阵列的制造方法，

对所述断线或短路进行检查的工序为图像检查。