[发明专利]用于制造多个结构的工艺

权利要求书

1.一种用于制造多个结构(S)的工艺，所述多个结构各相继包括衬底、包括氧化物的电介质以及包括半导体材料的有源层，所述工艺包括下列步骤：

a)提供适于接收多个结构(S)的腔室(10)，

b)使气体流(F)在腔室(10)中循环，使得腔室(10)具有非氧化性气氛，

c)在高于阈值的温度下对多个结构(S)进行热处理，在高于阈值的温度下，电介质的氧化物中存在的氧扩散通过有源层，与有源层的半导体材料反应，并生成挥发性材料，

所述工艺的特征在于：

步骤b)和步骤c)进行为使得气体流(F)在多个结构(S)之间的循环的记为V_f的速率大于挥发性材料扩散进入气体流的记为V_d的速率，其中V_f/V_d≥100；

步骤b)进行为使得气体流(F)在每个结构(S)的有源层附近循环。

2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，步骤b)和步骤c)进行为使得V_f/V_d≥1000。

3.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，在步骤a)中提供的腔室(10)沿着纵向轴线(Z’-Z)延伸，步骤b)包括将气体流(F)注入到腔室(10)中，注入的方向平行于纵向轴线(Z’-Z)，并且步骤a)包括为腔室(10)配备导引装置的步骤，该导引装置布置为将注入的气体流(F)导引到每个结构(S)的有源层附近。

4.根据权利要求3所述的工艺，其特征在于，所述导引装置包括鳍(50)，所述鳍定位为围绕腔室(10)的周界。

5.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，在步骤a)中提供的腔室(10)沿着纵向轴线(Z’-Z)延伸，而步骤b)包括将气体流(F)注入到腔室(10)中，该注入的方向平行于纵向轴线(Z’-Z)，且步骤a)包括为腔室(10)配备支撑构件(40)的步骤，该支撑构件布置为对多个结构(S)进行支撑，并且该支撑构件(40)能够相对于腔室(10)绕纵向轴线(Z’-Z)旋转运动，使得气体流(F)在每个结构(S)的有源层附近循环。

6.根据权利要求5所述的工艺，其特征在于，结构(S)的支撑构件(40)形成部分地围绕纵向轴线(Z’-Z)的螺旋，结构(S)的每个支撑构件(40)形成该螺旋的叶片。

7.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，在步骤a)中提供的腔室(10)沿着纵向轴线(Z’-Z)延伸，步骤b)包括将气体流(F)注入到腔室(10)中，该注入的方向垂直于纵向轴线(Z’-Z)并且朝向每个结构(S)，使得气体流(F)在每个结构(S)的有源层附近循环。

8.根据权利要求7所述的工艺，其特征在于，所述工艺包括将在每个结构(S)的有源层附近循环的气体流(F)排出的步骤，气体流(F)从腔室(10)排出的方向垂直于纵向轴线(Z’-Z)。

9.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，步骤b)包括将气体流(F)注入到腔室(10)中的步骤，该注入指向每个结构(S)的中心。

10.根据权利要求9所述的工艺，其特征在于，步骤a)包括为腔室(10)配备支撑构件(40)的步骤，该支撑构件布置为对多个结构(S)进行支撑，支撑构件(40)形成了导管(20)，该导管布置为将注入的气体流(F)导引到结构(S)的中心。

11.根据权利要求1至10中的任一项所述的工艺，其特征在于，所述工艺包括将气体流(F)从腔室(10)排出的步骤，排出的气体流(F)的一部分再次注入到腔室(10)中。