[发明专利]光刻方法和光刻系统

权利要求书

1.一种图案化光刻衬底的方法，所述方法包括使用自由电子激光器以产生EUV辐射并且输送所述EUV辐射至将所述EUV辐射投影至光刻衬底上的光刻设备，其中所述方法进一步包括通过使用基于反馈的控制回路以监测所述自由电子激光器并相应地调整所述自由电子激光器的操作而减少输送至所述光刻衬底的EUV辐射的功率的波动，并且其中所述方法进一步包括施加可变衰减至已经由所述自由电子激光器输出的EUV辐射以便于进一步控制输送至所述光刻设备的EUV辐射的功率；其中所述光刻设备是接收所述EUV辐射的多个光刻设备中的一个；其中所述EUV辐射的所述可变衰减对于每个所述光刻设备是独立可控的。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，由第二基于反馈的控制回路控制所述可变衰减。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二基于反馈的控制回路操作于1kHz或更低的频率。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其中，所述第二基于反馈的控制回路使用由位于所述光刻设备中的传感器所测量的EUV辐射强度，所述传感器位于所述光刻设备的投影系统之前。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的方法，其中，所述第二基于反馈的控制回路使用由位于所述光刻设备中的传感器所测量的EUV辐射强度，所述传感器位于所述光刻设备的投影系统之后。

6.一种光刻系统，包括配置用于产生EUV辐射的自由电子激光器、以及配置用于将所述EUV辐射投影至光刻衬底上的光刻设备，其中所述设备进一步包括基于反馈的控制回路，所述基于反馈的控制回路包括配置用于监测由所述自由电子激光器输出的所述EUV辐射的传感器、以及配置用于从所述传感器接收输出并相应地调整所述自由电子激光器的操作的控制器，并且其中所述设备进一步包括衰减器，所述衰减器配置用于施加可变衰减至已经由所述自由电子激光器输出的EUV辐射以便于进一步控制输送至所述光刻设备的所述EUV辐射的功率；其中所述光刻设备是接收所述EUV辐射的多个光刻设备中的一个；其中对于每个光刻设备提供衰减器，所述衰减器对于每个所述光刻设备是独立可控的。

7.根据权利要求6所述的光刻系统，其中，由第二基于反馈的控制回路控制所述可变衰减。

8.根据权利要求7所述的光刻系统，其中，所述第二基于反馈的控制回路操作于1kHz或更低的频率。

9.根据权利要求7或8所述的光刻系统，其中，所述第二基于反馈的控制回路包括配置用于测量所述光刻设备中的EUV辐射强度的传感器。

10.根据权利要求9所述的光刻系统，其中，所述传感器位于所述光刻设备的投影系统之前。

11.根据权利要求10所述的光刻系统，其中，所述传感器位于所述光刻设备的投影系统之后。