[发明专利]n型有机半导体薄膜的制造方法

权利要求书

1.n型有机半导体薄膜的制造方法，其特征在于，将含有式(1)所示的富勒烯衍生物的溶液在基材涂布、在450℃以上进行烧成，

式中，R¹～R⁵分别独立地表示氢原子、糖基、或糖基的任意羟基被取代基取代的糖基即取代糖基，R⁶表示碳原子数1～5的烷基，其中，R¹～R⁵中的至少1个为所述糖基或取代糖基。

2.根据权利要求1所述的n型有机半导体薄膜的制造方法，其中，所述糖基或取代糖基为选自式(2)、式(3)及式(4)中的至少1个基团，

式中，R⁷～R¹⁵分别独立表示氢原子、氨基、硫醇基、羧基、磷酸基、磷酸酯基、酯基、硫酯基、酰胺基、硝基、一价烃基、有机氨基、有机甲硅烷基、有机硫基、酰基、烷基醚基、或磺基。

3.根据权利要求1或2所述的n型有机半导体薄膜的制造方法，其中，所述取代基为碳原子数1～10的烷基、苄基、对甲氧基苄基、甲氧基甲基、2-四氢吡喃基、乙氧基乙基、乙酰基、新戊酰基、苯甲酰基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、或叔丁基二苯基甲硅烷基。

4.n型有机半导体薄膜，其通过权利要求1～3中任一项所述的制造方法得到。

5.根据权利要求4所述的n型有机半导体薄膜，其算术平均粗糙度Ra为膜厚的2％以上，最大高度Rz为膜厚的40％以上，电离电势为6.0eV以上。

6.有机太阳能电池，其具有权利要求4或5所述的n型有机半导体薄膜。