[发明专利]用于转移电路层的工艺

权利要求书

1.一种用于转移隐埋电路层(2)的工艺，其特征在于，该工艺包括下列步骤：

-取得施主衬底(1，1’)，所述施主衬底在内部包括刻蚀停止区(7，7’)，并且所述施主衬底在其被称为“前”侧的一侧(12)覆盖有电路层(2)，

-在所述施主衬底(1，1’)的覆盖有电路层(2)的一侧，在所述施主衬底(1，1’)的整个圆周上形成外围凹槽(3)或进行外围加工(3’)，所述外围凹槽在距该衬底(1，1’)的横向边缘(13)小于或等于5mm的距离(D1)处延伸，所述加工(3’)或所述凹槽(3)的深度形成为使得所述加工或所述凹槽完整穿过电路层(2)并且延伸进入施主衬底(1，1’)，

-在所述电路层(2)的暴露侧(21)上以及在经加工侧(13’)上或所述凹槽(3)的壁上沉积被称为“第二停止层”的停止材料层(4)，而不填满所述凹槽(3)，所述停止材料层对于所述电路层(2)的刻蚀是选择性的，

-在由所述第二停止层(4)覆盖的侧将受主衬底(5)结合至所述施主衬底(1，1’)，

-通过化学刻蚀施主衬底(1)的背侧(11)减薄施主衬底，直到达到所述刻蚀停止区(7，7’)，从而实现所述隐埋电路层(2)到所述受主衬底(5)的转移。

2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述刻蚀停止区是被称为“第一停止层”的层(7)，该层的材料对于施主衬底(1)的背面部分(101)的材料的刻蚀是选择性的。

3.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述刻蚀停止区是在施主衬底(1’)的掺杂的前面层(102’)与非掺杂的背面层(101’)之间的界面(7’)。

4.根据在前权利要求中的任一项所述的工艺，其特征在于，外围加工(3’)或外围凹槽(3)具有的深度使得外围加工或外围凹槽穿过所述刻蚀停止区(7，7’)，而没有穿透到施主衬底(1，1’)的背面部分(101)或背面层(101’)。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的工艺，其特征在于，外围加工(3’)或外围凹槽(3)所形成的深度使得外围加工或外围凹槽不穿过所述刻蚀停止区(7，7’)，并且在于，在化学刻蚀减薄步骤之后，进行机械去除施主衬底(1，1’)的剩余的外围环(14)的额外步骤。

6.根据权利要求5所述的工艺，其特征在于，机械去除施主衬底(1，1’)的剩余的外围环(14)的额外步骤通过研磨或化学机械抛光(CMP)进行。

7.根据权利要求1至3中的任一项所述的工艺，其特征在于，外围加工(3’)或外围凹槽(3)具有的深度使得外围加工或外围凹槽穿过所述刻蚀停止区(7，7’)并且延伸进入施主衬底(1，1’)的背面部分(101)或背面层(101’)，并且在于，在化学刻蚀减薄步骤之后，进行机械去除所述第二停止层(4)的剩余部分(41)的额外步骤。

8.根据权利要求7所述的工艺，其特征在于，机械去除所述第二停止层(4)的剩余部分(41)的额外步骤通过研磨或化学机械抛光(CMP)进行。

9.根据权利要求1至3中的任一项所述的工艺，其特征在于，第二停止层(4)通过选自化学气相沉积(CVD)或旋转涂布的技术来沉积。

10.根据权利要求1至3中的任一项所述的工艺，其特征在于，外围凹槽(3)借助于选自激光刻蚀、干法刻蚀和湿法刻蚀的技术形成。

11.根据权利要求1至3中的任一项所述的工艺，其特征在于，凹槽(3)的宽度(L1)在10μm与500μm之间。

12.根据权利要求1至3中的任一项所述的工艺，其特征在于，形成第一停止层(7)和第二停止层(4)的材料选自氧化物或氮化物。

13.根据权利要求12所述的工艺，其特征在于，形成第一停止层(7)和第二停止层(4)的材料选自氧化硅(SiO₂)、氮氧化硅(SiO_xN_y)或碳氧化硅(SiO_xC_y)。

14.根据权利要求1至3中的任一项所述的工艺，其特征在于，形成第一停止层(7)和第二停止层(4)的材料是相同的。