[发明专利]太阳光发电装置用基板的制造方法及太阳光发电装置用基板的制造装置

权利要求书

1.太阳光发电装置用基板的制造方法，其特征在于，

其是将半导体锭切片而将半导体基板切出后对所述半导体基板的表面实施表面处理来形成纹理结构的太阳光发电装置用基板的制造方法，所述制造方法包含：

用含有氧化性药剂的清洗液将附着于所述半导体基板的表面的有机杂质和金属杂质进行清洗除去的清洗工序；和

在所述清洗工序后连续地进行、用碱性水溶液将所述半导体基板的表面进行各向异性蚀刻、由此将通过所述切片产生了的基板表面的损伤层除去、且在所述半导体基板的表面形成所述纹理结构的蚀刻工序，

所述清洗工序的清洗温度为55℃以上且不到100℃，

所述含有氧化性药剂的清洗液为浓度0.01vol％以上且2.0vol％以下的过氧化氢水。

2.权利要求1所述的太阳光发电装置用基板的制造方法，其特征在于，所述清洗工序的所述清洗温度为80℃以上且不到100℃。

3.权利要求1或2所述的太阳光发电装置用基板的制造方法，其特征在于，所述半导体基板为结晶硅基板。

4.根据权利要求1或2所述的太阳光发电装置用基板的制造方法，其特征在于，

在所述清洗工序与所述蚀刻工序之间具有将附着于所述半导体基板的所述含有氧化性药剂的清洗液进行冲洗的清洗液除去工序，

连续地进行所述清洗工序、所述清洗液除去工序和所述蚀刻工序。

5.根据权利要求3所述的太阳光发电装置用基板的制造方法，其特征在于，

在所述清洗工序与所述蚀刻工序之间具有将附着于所述半导体基板的所述含有氧化性药剂的清洗液进行冲洗的清洗液除去工序，

连续地进行所述清洗工序、所述清洗液除去工序和所述蚀刻工序。

6.根据权利要求1或2所述的太阳光发电装置用基板的制造方法，其特征在于，所述碱性水溶液含有氢氧化钠或氢氧化钾。

7.根据权利要求3所述的太阳光发电装置用基板的制造方法，其特征在于，所述碱性水溶液含有氢氧化钠或氢氧化钾。

8.根据权利要求4所述的太阳光发电装置用基板的制造方法，其特征在于，所述碱性水溶液含有氢氧化钠或氢氧化钾。

9.根据权利要求5所述的太阳光发电装置用基板的制造方法，其特征在于，所述碱性水溶液含有氢氧化钠或氢氧化钾。

10.太阳光发电装置用基板的制造装置，其特征在于，具有：

进行对将半导体锭切片而切出了的半导体基板的表面供给含有氧化性药剂的清洗液而将附着于所述半导体基板的表面的有机杂质和金属杂质清洗除去的清洗处理的清洗部；和

对在所述清洗部中将所述有机杂质和金属杂质清洗除去了的所述半导体基板的表面供给碱性水溶液而对所述半导体基板的表面进行各向异性蚀刻处理、由此将由所述切片所产生了的基板表面的损伤层除去且在所述半导体基板的表面形成纹理结构的蚀刻部，

与所述清洗部中的处理连续地进行所述蚀刻部中的处理，

所述含有氧化性药剂的清洗液是温度为55℃以上且不到100℃，且浓度0.01vol％以上且2.0vol％以下的过氧化氢水。

11.权利要求10所述的太阳光发电装置用基板的制造装置，其特征在于，所述含有氧化性药剂的清洗液的温度为80℃以上且不到100℃。

12.根据权利要求10或11所述的太阳光发电装置用基板的制造装置，其特征在于，

将在所述清洗部中的所述清洗处理中附着于所述半导体基板的所述含有氧化性药剂的清洗液进行冲洗的清洗液除去处理在所述清洗部中的所述清洗处理与所述蚀刻部中的各向异性蚀刻处理之间进行，

连续地进行所述清洗处理、所述清洗液除去处理和所述各向异性蚀刻处理。