[发明专利]电极和光电子器件以及用于制造光电子器件的方法

权利要求书

1.一种光电子器件(100)，具有：

·有机功能层结构(112)；和

·在所述有机功能层结构(112)上或上方的、与所述有机功能层结构 (112)导电耦合的电极(110)；

·其中所述电极(114)具有：

○具有至少一种基体材料的、光学透明的或者半透明的基体(104)； 和

○嵌入到所述基体(104)中的颗粒(106)，所述颗粒具有如下折射 率，所述折射率大于至少一种所述基体材料的折射率；

○其中至少一种所述基体材料和嵌入到所述基体(104)中的所述颗 粒(106)之间的折射率差至少为0.05。

2.根据权利要求1所述的光电子器件(100)，

其中至少一种所述基体材料和嵌入到所述基体(104)中的所述颗粒 (106)之间的折射率差至少为1。

3.根据权利要求1或2所述的光电子器件(100)，

其中至少一种所述基体材料具有小于或等于1.6的折射率。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的光电子器件(100)，

其中嵌入到所述基体(104)中的所述颗粒(106)具有大于或等于1.7 的折射率。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的光电子器件(100)，

其中至少一种所述基体材料和/或嵌入到所述基体(104)中的所述颗 粒(106)是能导电的。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的光电子器件(100)，

其中所述基体(104)的材料具有下述材料中的一种：

·环氧树脂；

·环氧树脂粘结剂；

·聚合物填充剂；

·有机半导体。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的光电子器件(100)，

其中嵌入到所述基体(104)中的所述颗粒(106)具有下述材料中的 一种：

·掺杂铝的氧化锌Al：ZnO；

·氧化铝Al₂O₃；

·五氧化二钽T₂O₅；

·铟锡氧化物ITO纳米颗粒；

·碳C纳米管

·石墨烯薄片；和

·银Ag纳米线。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的光电子器件(100)，

其中所述电极(114)具有在大约20nm至大约300nm的范围中的层 厚度、优选在大约100nm至大约150nm的范围中。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的光电子器件(100)，

其中所述电极(114)具有在大约2欧姆/sq至大约50欧姆/sq的范围 中的电导值，优选在大约10欧姆/sq至大约15欧姆/sq的范围中。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的光电子器件(100)，

其中嵌入到所述基体(104)中的所述颗粒(106)具有在至少一个大 约1nm至大约3μm的范围中、优选在大约1nm至大约100nm范围中的 尺度中的大小。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的光电子器件(100)，还具有：

·与所述有机功能层结构(112)导电耦合的附加的电极(114)，

·其中所述有机功能层结构(112)设置在所述电极(114)和所述附 加的电极(110)之间。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的光电子器件，

其中所述有机功能层结构(112)具有发射光的层结构，其中所述光电 子器件(100)构成为透明的有机发光二极管或者构建为顶部发射体的有机 发光二极管。