[发明专利]针对多通道磁带记录头中的写入器串扰的补偿

说明书

在至少一个实施例中，提供了一种数据存储系统。该系统包括控制器，控制器被配置为确定要施加到第一写入元件以在磁带上写入第一数据的电流的方向，并且确定要施加到磁头上的多个邻近的写入元件中的每一个以在磁带上写入对应数据的电流的方向。控制器还被配置为对要施加到第一写入元件的电流的方向与要施加到多个邻近的写入元件的电流的方向进行比较。控制器还被配置为响应于对要施加到第一写入元件的电流的方向与要施加到多个邻近的写入元件中的每一个的电流的方向的比较，控制第一写入元件写入第一数据。

技术领域

本文所公开的各种方面一般涉及与磁带关联使用的数据存储系统。

背景技术

随着磁带上的数据磁道变窄，正确跟踪磁头相对于磁带的位置的挑战显著地增大。一个关注因素涉及磁带尺寸稳定性。一个缓解磁带尺寸稳定性的有效方法是使记录磁头上的通道(或数据磁道)排列得更紧凑。但是，当写入元件的位置彼此更靠近时，这些元件在写入操作期间可能会彼此电磁干扰。一个接收电子指令以在磁道上写入特定的数据模式的写入元件可能会经历来自邻近的写入元件的电磁干扰(EMI)状况(或“串扰”)，从而改变数据模式(通常是劣化)。这样的串扰可能会限制写入元件的位置相对于彼此的接近度。

串扰可以通过以下的方式被量化：(i)当所有的写入元件在磁带上写入相同的数据模式时，获得维特比(Viterbi)质量度量(VQM)的测量结果，(ii)当所有的写入元件写入不同的数据模式时，获得VQM的另一个测量结果，以及(iii)将这两个VQM测量结果(即，当写入相同的数据模式时的VQM测量结果与当写入不同的数据模式时的VQM测量结果)相互比较。VQM测量结果通常在0到1之间，其中较大的值通常表示较好的通道质量。

在一个示例中，在具有42.6μ的通道间距(channel pitch)的驱动器上获得了VQM测量结果，其中数据模式要么抑制串扰(例如，所有通道上被写入相似的数据模式)要么促进串扰(例如，所有通道被写入不同的数据模式)。对于促进串扰的数据模式，观察到测得的VQM大约降低0.1。另外，已知的是，在写入操作期间产生的串扰对于小通道间距上的写入器可能会引起显著的转变偏移，如“Crosstalk Between Write Transducers”,R.G.Biskeborn,P.Herget和P.O.Jubert,IEEE Trans Mag 44,No.11,November 2008,p.3625中所公开的。

磁带尺寸稳定性通常对应于这样的概念，即，保持精确的磁道或通道间隔，以使得磁道上不留下空的空间或数据不被写入先前已被写过的对应磁道上。虽然小的通道间距可以缓解磁带尺寸稳定性的影响，但在这样的通道间距下产生的串扰可能较大。

在存在串扰的情况下，来自写入元件的磁场可以建模为磁场以1/d³降低的偶极子，其中d是到写入元件的距离。通常地，如果各个写入元件彼此相距足够远，则磁场降低(例如，1/d³)很大，并且随之出现的在多个写入元件之间的串扰较小。但是，如果写入元件的位置彼此更接近，则这样的写入元件之间的串扰增大。如果写入元件之间的间隔缩小一半，则预期将看到八倍大的串扰。鉴于以上描述，希望的是消除在写入操作期间由写入元件产生的串扰。

发明内容

在至少一个实施例中，提供了一种数据存储系统。所述系统包括控制器，控制器被配置为确定施加到第一写入元件以在磁带上写入第一数据的电流的方向，并且确定施加到多个邻近的写入元件中的每一个以在磁带上写入对应数据的电流的方向。控制器还被配置为对施加到第一写入元件的电流的方向与施加到多个邻近的写入元件的电流的方向进行比较。控制器还被配置为响应于对施加到第一写入元件的电流的方向与施加到每个邻近的写入元件的电流的方向的比较，控制第一写入元件写入第一数据。

附图说明

在所附的权利要求中以特定方式指出了本公开的各种实施例。但是通过结合附图参考以下的详细描述，各种实施例的其他特征将变得更清晰并且将被最佳地理解。