[发明专利]在MEMS数字可变电容器(DVC)加工期间的应力控制

权利要求书

1.一种MEMS DVC，包括：

被布置在形成于衬底之上的空腔内的可移动板，该可移动板被布置在拉近电极和拉离电极之间并且耦合到可移动板电极，并且所述拉离电极由导电层形成；

耦合到所述可移动板电极的板式接地电极；和

通过所述导电层耦合到所述板式接地电极的CMOS地电极；

其中所述可移动板包括通过一个或更多个柱耦合在一起的多个层，并且其中，所述多个层中的每个层具有基本相同的应力。

2.如权利要求1所述的MEMS DVC，还包括：

第一锚固结构，其在与所述衬底相对的表面上耦合到所述板式接地电极；和

第二锚固结构，其在与所述衬底相对的表面上耦合到所述CMOS地电极，其中所述导电层耦合到所述第一锚固结构和所述第二锚固结构。

3.如权利要求2所述的MEMS DVC，其中所述可移动板电极通过一个或更多个导电填充通孔或沟槽和形成于所述衬底内的金属导体耦合到所述板式接地电极。

4.如权利要求3所述的MEMS DVC，其中所述CMOS地电极耦合到被布置在所述衬底内的一个或更多个金属导体。

5.如权利要求4所述的MEMS DVC，还包括至少部分地在所述拉近电极、所述板式接地电极和所述CMOS地电极上形成的介电层。

6.如权利要求1所述的MEMS DVC，其中所述可移动板电极通过一个或更多个导电填充通孔或沟槽和形成于所述衬底内的金属导体耦合到所述板式接地电极。

7.如权利要求1所述的MEMS DVC，其中所述CMOS地电极耦合到被布置在所述衬底内的一个或更多个金属导体。

8.如权利要求1所述的MEMS DVC，还包括至少部分地在所述拉近电极、所述板式接地电极和所述CMOS地电极上形成的介电层。

9.一种形成MEMS DVC的方法，包括：

在衬底上沉积第一导电层；

图案化所述第一导电层以形成CMOS地电极、板式接地电极、可移动板电极、拉近电极和RF电极；

在所述衬底以及所述CMOS地电极、所述板式接地电极、所述可移动板电极、所述拉近电极和所述RF电极上沉积介电层；

穿过所述介电层形成开口以暴露所述CMOS地电极、所述板式接地电极和所述可移动板电极中的至少一部分；

形成在所述介电层上并且与所述CMOS地电极接触的锚固元件、形成在所述介电层上并且与所述板式接地电极接触的锚固元件和形成在所述介电层上并且与所述可移动板电极接触的锚固元件；

形成在与所述可移动板电极接触的锚固元件上并且与其接触的可移动板；和

在所述可移动板和所述形成在所述介电层上并且与所述CMOS地电极接触的锚固元件以及所述形成在所述介电层上并且与所述板式接地电极接触的锚固元件上沉积第二导电层；

其中，在所述图案化之后，所述板式接地电极通过形成于所述衬底中的导电材料电耦合到所述可移动板电极；

其中在所述图案化之后并且形成所述可移动板期间，所述CMOS地电极和所述板式接地电极彼此电隔离；

其中在沉积所述第二导电层之后，所述CMOS地电极和所述板式接地电极电耦合到一起。

10.如权利要求9所述的方法，其中形成可移动板包括：形成通过一个或更多个柱耦合到一起的多个层，其中，所述多个层中的每个层具有基本相同的应力，并且其中，所述可移动板电极在形成所述可移动板期间电耦合到所述板式接地电极。

11.如权利要求10所述的方法，还包括，形成空腔并且从所述空腔移除牺牲材料以释放所述可移动板使其在所述空腔内移动。

12.如权利要求9所述的方法，还包括，形成空腔并且从所述空腔移除牺牲材料以释放所述可移动板使其在所述空腔内移动。