[发明专利]弹性波装置

说明书

一种弹性波装置(10)，是端面反射型的弹性波装置，在压电基板(12)与支撑基板(14)相接合而成的近长方体状复合基板(15)中的压电基板(12)上，配置有一对相互插入的IDT电极(16)、(18)。压电基板(12)的侧面中的与弹性波传播方向正交的第1侧面(12a)的缺口尺寸，在弹性波波长λ的1/10以下。压电基板(12)的侧面中的与弹性波传播方向平行的第2侧面(12b)的缺口尺寸，大于第1侧面(12a)的缺口尺寸，例如在波长λ的1/2以上、50倍以下。

技术领域

本发明涉及弹性波装置。

背景技术

以往，作为弹性波装置，提出了使用基板端面反射弹性波的端面反射型的弹性波装置。端面反射型的弹性波装置中，通过形成在压电基板上的IDT(InterdigitalTransducer)电极所激发的弹性波传播至基板的端面，在该端面反射。此种端面反射型的弹性波装置例如如下制造。即，首先，将圆盘状的压电晶片和热膨胀系数小于该压电晶片的支撑晶片接合，制作圆盘状的复合晶片。接着，在该复合晶片的压电晶片上分割出多个规定尺寸的矩形区域，在各个矩形区域形成IDT电极。然后，通过划片机等切割装置，将复合晶片按矩形区域切割。如此，得到具备有压电基板与支撑基板接合而成的近长方体状复合基板，以及形成在压电基板上的IDT电极的弹性波装置。另外，使用复合基板是为了减小温度变化时的压电基板的大小变化，抑制弹性波装置的对于温度变化的频率特性变化。

但是，切割复合晶片时，压电晶片的切割面会产生缺口，其成为寄生信号(因共振而在峰前后产生的小而不需要的峰)增加的原因。为了抑制此种寄生信号，专利文献1、2中，采用如下的制法。即，专利文献1中，采用的顺序是：(1)在形成IDT电极前，在矩形区域周边，用划片机设置切割沟；(2)接着研磨压电晶片的表面，除去切割沟的开口附近的缺口，(3)接着形成IDT电极，(4)然后使用宽度小于切割沟的划片机，切下弹性波装置。另一方面，专利文献2中，采用的顺序是：(1)在复合晶片中设置了压电晶片的多个矩形区域上，分别形成IDT电极；(2)接着在每个矩形区域，通过激光切割法，从支撑晶片侧切槽至未到达压电晶片的深度；(3)然后通过施加可以分割支撑晶片的应力，切下弹性波装置。

现有技术文献

专利文献

【专利文献1】日本专利特开2002-261559号公报

【专利文献2】日本专利特开2002-9583号公报

发明内容

但是，上述的专利文献1、2中，虽然记载了通过除去弹性波反射端面、即与弹性波传播方向正交的端面的缺口而抑制寄生信号，但没有考虑与弹性波传播方向平行的端面。本发明者们发现，与弹性波传播方向平行的端面是没有缺口的光滑面时，该端面会反射不需要的弹性波，成为寄生信号增加的一个原因。

本发明的主要目的是解决此种课题，更确切地抑制端面反射型的弹性波装置中的寄生信号。

本发明的弹性波装置，

是端面反射型的弹性波装置，在支撑基板与压电基板相接合而成的近长方体状复合基板中的所述压电基板上，配置有一对相互插入的IDT电极，

所述压电基板的侧面中的与弹性波传播方向正交的第1侧面的缺口尺寸，在弹性波波长λ的1/10以下，

所述压电基板的侧面中的与弹性波传播方向平行的第2侧面的缺口尺寸，大于所述第1侧面的缺口尺寸，在弹性波波长λ的1/2以上、50倍以下。