[发明专利]铜露出基板的清洗方法和清洗系统

权利要求书

1.一种铜露出基板的清洗方法，其包括：

用溶解在水中的过氧化氢的浓度限于2μg/L以下并且添加二氧化碳以将电阻率调节在0.03至5.0MΩ·cm的范围内的碳酸水清洗至少铜或铜化合物在表面上露出的基板，

所述铜露出基板的清洗方法进一步包括将溶解的氧的浓度限于6μg/L以上且130μg/L以下。

2.根据权利要求1所述的铜露出基板的清洗方法，其中所述碳酸水作为通过铂族系金属催化剂以实现所述过氧化氢浓度的结果来获得。

3.根据权利要求2所述的铜露出基板的清洗方法，其进一步包括在通过所述铂族系金属催化剂之前添加氢。

4.根据权利要求2所述的铜露出基板的清洗方法，其中所述铂族系金属催化剂为钯催化剂。

5.根据权利要求4所述的铜露出基板的清洗方法，其中所述铂族系金属催化剂作为将钯催化剂负载在整体状有机多孔阴离子交换体上的结果来获得。

6.根据权利要求1所述的铜露出基板的清洗方法，其中用所述碳酸水清洗所述基板的工序在氧气浓度为2％以下的气氛下进行。

7.根据权利要求1所述的铜露出基板的清洗方法，其中用所述碳酸水清洗所述基板的工序在遮光环境下进行。

8.一种铜露出基板的清洗系统，其包括：

超纯水制造装置，所述超纯水制造装置包括用于用紫外线照射水的紫外线氧化装置；

处理室，所述处理室中配置至少铜或铜化合物在表面上露出的基板并且向所述处理室中供给用于清洗和处理所述基板的基板处理液；和

在从所述超纯水制造装置的所述紫外线氧化装置至所述处理室的处理液排出部的流路中，作为所述基板的处理液的碳酸水的制造手段，在所述碳酸水中溶解在水中的过氧化氢的浓度限于2μg/L以下并且将二氧化碳添加至其中以将电阻率调节在0.03至5.0MΩ·cm的范围内，

其中在供给至所述处理室的所述碳酸水中，溶解的氧的浓度限于6μg/L以上且130μg/L以下。

9.根据权利要求8所述的铜露出基板的清洗系统，其中所述手段包括用于从水中除去过氧化氢的过氧化氢除去装置，和用于将二氧化碳供给至水的二氧化碳供给装置。

10.根据权利要求9所述的铜露出基板的清洗系统，其中所述过氧化氢除去装置配置在所述超纯水制造装置内的所述紫外线氧化装置的下游，并且所述二氧化碳供给装置配置在从所述超纯水制造装置的水出口至所述处理室的流路中。

11.根据权利要求10所述的铜露出基板的清洗系统，其中在所述紫外线氧化装置与所述过氧化氢除去装置之间配置用于将氢供给至水的氢供给装置。

12.根据权利要求9所述的铜露出基板的清洗系统，其中所述过氧化氢除去装置和所述紫外线氧化装置配置在从所述超纯水制造装置的水出口至所述处理室的流路中。

13.根据权利要求12所述的铜露出基板的清洗系统，其中用于将氢供给至水的氢供给装置配置在从所述超纯水制造装置的所述水出口至所述处理室的流路中所述过氧化氢除去装置的上游。

14.根据权利要求9所述的铜露出基板的清洗系统，其中所述过氧化氢除去装置包括填充有铂族系金属催化剂的催化剂单元。

15.根据权利要求14所述的铜露出基板的清洗系统，其中所述铂族系金属催化剂为钯催化剂。

16.根据权利要求14所述的铜露出基板的清洗系统，其中所述铂族系金属催化剂作为将钯催化剂负载在整体状有机多孔阴离子交换体上的结果来获得。