[发明专利]光电转换元件模块及其制造方法在审
申请号: | 201480037025.7 | 申请日: | 2014-06-19 |
公开(公告)号: | CN105340099A | 公开(公告)日: | 2016-02-17 |
发明(设计)人: | 石川贵之;矶部和也 | 申请(专利权)人: | 柯尼卡美能达株式会社 |
主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44;C09B23/00;C09K3/00;H01G9/20;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 苗堃;赵曦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 元件 模块 及其 制造 方法 | ||
1.一种光电转换元件模块,其特征在于,是2个以上光电转换元件电连接而成的光电转换元件模块,所述光电转换元件是按基板、第一电极、含有半导体和敏化色素的光电转换层、具有导电性高分子的空穴输送层以及第二电极的顺序层叠而成的,
所述空穴输送层是在氧化剂存在下将所述光电转换层与导电性高分子前体接触后,对所述敏化色素照射光,由此将所述导电性高分子前体聚合而形成的。
2.根据权利要求1所述的光电转换元件模块,其中,所述光电转换元件中的至少彼此邻接的两个光电转换元件中,一个光电转换元件的所述第一电极的一个端部跟与该光电转换元件邻接的光电转换元件的所述第二电极的一个端部连接。
3.根据权利要求1或2中任1项所述的光电转换元件模块,其中,所述氧化剂为氧、臭氧、过氧化物或者金属盐。
4.根据权利要求1~3中任1项所述的光电转换元件模块,其中,所述导电性高分子前体具有下述单体式1表示的重复单元,
所述单体式1中,X表示S、NR、O,R为氢原子或者烷基,R1~R4各自独立地为氢原子、卤素原子、碳原子数1~30的直链或支链状的烷基、碳原子数3~10的环烷基、碳原子数1~30的烷氧基、碳原子数2~30的聚氧乙烯基、或者取代或无取代的碳原子数4~30的含芳香环基团。
5.根据权利要求1~4中任1项所述的光电转换元件模块,其中,所述敏化色素由通式(1)表示,
所述通式(1)中,R3各自独立地表示氢原子、卤素原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的芳基、氨基、氰基、或者取代或未取代的杂环基,
Ar表示二价的环式化合物基团,
A1和A2各自独立地表示单键、2价的饱和或不饱和的烃基、取代或未取代的亚烷基、亚芳基、或者2价的杂环基,
Z为具有酸性基团、烷氧基硅烷或卤代硅烷的有机基团,
p、q各自独立地为0~6的整数,
n为1~3的整数,
n为1时,2个R3可以相互不同,另外,R3可以与其他取代基连接而形成环结构,n为2以上时,多个Ar、A1、A2、Z可以相互不同。
6.根据权利要求1~5中任1项所述的光电转换元件模块,其中,所述照射光的波长包含所述敏化色素的吸收波长。
7.一种光电转换元件模块的制造方法,是2个以上光电转换元件电连接而成的光电转换元件模块的制造方法,所述光电转换元件是按基板、第一电极、含有半导体和敏化色素的光电转换层、具有导电性高分子的空穴输送层、以及第二电极的顺序层叠而成的,
所述光电转换元件模块的制造方法包括:
在所述第一电极上形成所述光电转换层;
在氧化剂存在下使导电性高分子前体与所述光电转换层接触;
在所述氧化剂存在下对所述敏化色素照射光将所述导电性高分子前体聚合而形成空穴输送层;
在所述空穴输送层上形成所述第二电极;和
将至少2个以上的所述光电转换元件电连接。
8.根据权利要求7所述的光电转换元件模块的制造方法,其中,所述电连接包括一个光电转换元件的所述第一电极的一个端部跟与该光电转换元件邻接的光电转换元件的所述第二电极的一个端部连接。
9.根据权利要求8所述的光电转换元件模块的制造方法,其特征在于,通过形成所述第二电极,将至少2个以上的所述光电转换元件电连接。
10.根据权利要求7~9中任一项所述的光电转换元件模块的制造方法,其中,所述氧化剂为氧、臭氧、过氧化物或者金属盐。
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