[发明专利]双极性火花离子源

权利要求书

1.一种离子分析设备，包括：

离子源，所述离子源包括火花离子源；及

控制器，其控制所述离子源的电极的电压变化的切换频率以推动通过火花放电从所述离子源产生的阳和阴离子。

2.根据权利要求1所述的设备，还包括：

来自所述离子源的离子注入于其中的离子迁移设备。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述离子迁移设备至少包括下述之一：离子迁移谱(IMS)设备、漂移单元、或差分迁移谱(DMS)设备。

4.根据权利要求1所述的设备，还包括：

来自所述离子源的离子被接收于其内的真空接口；及

从所述真空接口接收离子的分析部件。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器包括高电压切换电路。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述离子源具有点对点电极配置或者点对面电极配置。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器根据实时或非实时分析控制所述离子源的切换频率。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器根据计划的占空因数控制所述离子源的切换频率。

9.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器控制切换频率以从所述离子源提供脉冲或连续离子流。

10.一种控制电离处理的方法，包括：

确定离子分析的运行模式；

确定离子源电极的电压变化的切换频率，所述离子源包括火花离子源；及

使用控制器在火花电离期间根据确定的切换频率控制离子源电极的电压变化以推动通过火花放电从离子源产生的阳和阴离子。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

将离子源产生的离子注入到离子迁移设备内。

12.根据权利要求11所述的方法，其中离子迁移设备至少包括下述之一：离子迁移谱(IMS)设备、漂移单元、或差分迁移谱(DMS)设备。

13.根据权利要求10所述的方法，还包括：

使用真空接口将离子源产生的离子注入到分析部件内。

14.根据权利要求10所述的方法，其中控制器包括高电压切换电路。

15.根据权利要求10所述的方法，其中离子源具有点对点电极配置或者点对面电极配置。

16.根据权利要求10所述的方法，其中控制器根据实时或非实时分析控制离子源的切换频率。

17.根据权利要求10所述的方法，其中控制器根据计划的占空因数控制离子源的切换频率。

18.根据权利要求10所述的方法，其中切换频率被控制以从离子源提供脉冲或连续离子流。

19.一种保存用于控制电离处理的软件的非短暂计算机可读介质，所述软件包括：

确定离子分析的运行模式的可执行代码；

确定离子源电极的电压变化的切换频率的可执行代码，离子源包括火花离子源；及

使用控制器在火花电离期间根据确定的切换频率控制离子源电极的电压变化以推动通过火花放电从离子源产生的阳和阴离子的可执行代码。

20.根据权利要求19所述的非短暂计算机可读介质，其中所述软件还包括：

控制离子源产生的离子注入到离子迁移设备内的可执行代码。

21.根据权利要求20所述的非短暂计算机可读介质，其中所述软件还包括：

在注入到离子迁移设备内之后控制离子的选择性过滤的可执行代码。

22.根据权利要求19所述的非短暂计算机可读介质，其中所述软件还包括：

控制离子源产生的离子经真空接口注入到分析部件内的可执行代码。

23.根据权利要求19所述的非短暂计算机可读介质，其中切换频率使用高电压切换电路进行控制。

24.根据权利要求19所述的非短暂计算机可读介质，其中离子源的切换频率根据实时或非实时分析进行控制。

25.根据权利要求19所述的非短暂计算机可读介质，其中离子源的切换频率根据计划的占空因数进行控制。

26.根据权利要求19所述的非短暂计算机可读介质，其中切换频率被控制以从离子源提供脉冲或连续离子流。