[发明专利]控制光学设备中的电吸收介质的组成有效
申请号: | 201480037639.5 | 申请日: | 2014-07-02 |
公开(公告)号: | CN105452943B | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
发明(设计)人: | J.方;钱伟;冯大增;M.阿斯哈里 | 申请(专利权)人: | 迈络思科技硅光股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/017 | 分类号: | G02F1/017;G02B6/12 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 佘鹏;肖日松 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 控制 光学 设备 中的 吸收 介质 组成 | ||
1.一种光学设备,包括:
基底上的电吸收介质的多个不同的区域;
所述区域包括部件区域,所述部件区域被包括在位于所述基底上的光学部件中,使得在所述光学部件的操作期间光信号被导引通过来自所述部件区域的电吸收介质;并且
所述区域还包括虚设区域,所述虚设区域不是所述基底上的所述光学部件的功能部分并且也不是所述基底上的任何其他部件的功能部分。
2.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述光学部件是调制器。
3.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述虚设区域在所述光学部件的1mm内,并且包括在所述虚设区域中的所述电吸收介质所占据的所述设备的面积大于所述光学部件的1mm内的所述设备的面积的5%。
4.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述虚设区域在所述光学部件的2mm内。
5.如权利要求4所述的设备,其特征在于,包括在所述虚设区域中的所述电吸收介质所占据的所述设备的面积大于所述光学部件的2mm内的所述设备的面积的5%。
6.如权利要求3所述的设备,还包括共用虚设区域,其各自包括所述电吸收介质,但包括在所述共用虚设区域中的所述电吸收介质不包括在所述光学部件中或所述基底上另一光学部件中,所述共用虚设区域各自距离所述光学部件大于2mm,并且所述虚设区域各自距离所述光学设备小于2mm。
7.如权利要求6所述的设备,其特征在于,包括在所述共用虚设区域、所述虚设区域和所述光学部件中的所述电吸收介质所占据的所述设备的面积大于5%。
8.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述光学部件包括在所述光学部件的操作期间运载电能的电导体,所述电导体被放置为使得所述虚设区域中的一个或多个位于所述电导体和所述基底之间。
9.一种形成光学设备的方法,包括:
在设备前体的基底上的各种不同区域中生长电吸收介质,所述区域包括部件区域,并且被选择,从而使包括在所述部件区域中的所述电吸收介质获得特定的化学组成;
在所述设备前体上形成光学部件,使得所述光学部件包括来自所述部件区域的所述电吸收介质的至少一部分,形成所述光学部件,使得在所述光学部件的操作期间,光信号被导引通过来自所述部件区域的所述电吸收介质;以及
完成所述设备的形成,使得在完成的设备中所述区域的一部分仍包括所述电吸收介质并且是虚设区域,所述虚设区域不是所述基底上的所述光学部件的功能部分并且也不是所述基底上的任何其他部件的功能部分。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述光学部件是调制器,其被配置为使得来自所述部件区域的所述电吸收介质的组成影响所述调制器的调制波长。
11.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述虚设区域在所述光学部件的2mm内。
12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,包括在所述虚设区域中的所述电吸收介质所占据的所述设备的面积大于5%。
13.如权利要求11所述的方法,还包括共用虚设区域,其各自包括所述电吸收介质,但包括在所述共用虚设区域中的所述电吸收介质不包括在所述光学部件中或所述基底上另一光学部件中,所述共用虚设区域各自距离所述光学部件大于2mm。
14.如权利要求13所述的方法,其特征在于,包括在所述共用虚设区域、所述虚设区域和所述光学部件中的所述电吸收介质所占据的所述设备的面积大于5%。
15.如权利要求9所述的方法,其特征在于,在所述不同区域中的每个中同时生长所述电吸收介质。
16.一种形成光学设备的方法,包括:
在设备前体的基底上的各种不同区域中生长电吸收介质;以及
完成所述设备的形成,使得包括在所述区域的一部分中的电吸收介质包括在光学部件中,并且所述区域的另一部分是虚设区域,所述虚设区域不是所述基底上的所述光学部件的功能部分并且也不是所述基底上的任何其他部件的功能部分,
所述光学部件包括所述电吸收介质,所述电吸收介质被布置为,使得在所述光学部件的操作期间光信号被导引通过包括在所述光学部件中的所述电吸收介质。
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