[发明专利]唑硅烷化合物、表面处理液、表面处理方法及其利用

权利要求书

1.一种唑硅烷化合物，其由下述化学式(I-1)或(II-1)表示，

式(I-1)中，X表示氢原子、-CH₃、-NH₂、-SH或-SCH₃，Y表示-NH-，R表示-CH₃或-CH₂CH₃，m表示1～12的整数，

A₁-S-S-A₁(II-1)

式(II-1)中，A₁表示

Z₁表示-CO-NH-(CH₂)_m-Si(OR)₃，

R表示-CH₃或者-CH₂CH₃，

m表示1～12的整数。

2.一种合成方法，其为下述化学式(I-1)所示的唑硅烷化合物的合成方法，

式(I-1)中，X表示氢原子、-CH₃、-NH₂、-SH或-SCH₃，Y表示-NH-，R表示-CH₃或-CH₂CH₃，m表示1～12的整数，

该合成方法包括使下述化学式(I-2)所示的唑类化合物与下述化学式(I-3)所示的卤代烷基硅烷化合物在脱卤化氢剂的存在下反应的工序，

式(I-2)中，X表示氢原子、-CH₃、-NH₂、-SH或-SCH₃，Y表示-NH-，

式(I-3)中，R表示-CH₃或-CH₂CH₃，m表示1～12的整数，Hal表示氯原子、溴原子或碘原子。

3.一种合成方法，其为下述化学式(II-1)所示的唑硅烷化合物的合成方法，

A₁-S-S-A₁ (II-1)

式(II-1)中，A₁表示

Z1_表示-CO-NH-(CH₂)_m-Si(OR)₃，

R表示-CH₃或者-CH₂CH₃，

m表示1～12的整数，

该合成方法包括使下述化学式(II-2)所示的唑类化合物与下述化学式(II-3)所示的异氰酸根合烷基硅烷化合物反应的工序，

A₀-S-S-A₀(II-2)

式(II-2)中，A₀表示

OCN-(CH₂)_m-Si(OR)₃ (II-3)

式(II-3)中，R表示-CH₃或-CH₂CH₃，m表示1～12的整数。