[发明专利]TixSi1-xN层及其制造有效
| 申请号： | 201480037761.2 | 申请日： | 2014-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN105392911B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 徳尼斯·库拉珀夫;西格弗里德·克拉斯尼策尔 | 申请（专利权）人： | 欧瑞康表面处理解决方案股份公司普费菲孔 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/02;C23C14/35;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 何志欣 |
| 地址： | 瑞士普*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tixsi1 xn 及其 制造 | ||
1.一种对工件涂覆涂层的方法，该涂层包括至少一个TixSi1-xN层，其中，x≤0.85，并且其中，TixSi1-xN层包含纳米晶，所包含的纳米晶具有不大于15nm的平均粒度，其中，如果只考虑金属元素的话，x是按照at％表示的钛浓度，其特征是，为了制造所述TixSi1-xN层而采用溅射方法，其中，采用至少一个第一靶TixSi1-x作为溅射靶，其中，按照原子％，x≤0.85，并且其中，在该溅射靶的靶表面上出现至少0.2A/cm2的电流密度，
还采用成分为TizSi1-z的第二靶，其中0≤z≤1，但z不等于x，即含Ti和Si的第一靶和第二靶的组成是不同的，并且(x+z)/2≤0.85，因而制造出硅含量≥15原子％的层，
其中，在所述TixSi1-xN层与工件的基材体之间设有含有TiAlN或CryAl1-yN的中间层，其中，如果只考虑金属元素的话，y给出了按照at％表示的铬浓度，
其中，在所述TixSi1-xN层与所述中间层之间设有过渡层，并且该过渡层是借助共溅射来制造的。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述方法用于涂覆工件，其中，对于所述含有TiAlN的中间层，该过渡层不仅含有TiAlN，也含有TixSi1-xN。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述方法用于涂覆工件，其中，该过渡层是梯度层，其硅含量随着距基材表面的距离增大而增大。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述方法用于涂覆工件，其中，对于所述含有CryAl1-yN的中间层，该过渡层不仅含有CryAl1-yN，也含有TixSi1-xN。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征是，所述方法用于涂覆工件，其中，该过渡层是梯度层，该梯度层的硅含量随着距基材表面的距离增大而增大。
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