[发明专利]通过将锡与锗掺杂减轻锡和镀锡表面上的锡须生长的方法和装置

权利要求书

1.减轻基材表面上的锡须生长的方法，其包括以下步骤：

制备包括一定量的含锗化合物和水溶性含锡化合物和络合剂的溶液；

将阳极电极浸入所述溶液，

将阴极基材浸入所述溶液，所述阴极基材包括阴极基材表面；

将所述阳极电极和所述阴极基材连接至能够提供电流的电源；

开启所述电源以提供所述电流至所述阳极电极、所述阴极基材和所述溶液；和

将一定量的锗和锡共沉积至所述阴极基材表面上。

2.权利要求1所述的方法，其中所述锗和锡共沉积至所述基材表面上至大约1至大约10微米的厚度。

3.权利要求1或2所述的方法，其中所述锗和锡以按重量计大约0.5至大约5％的锗的浓度共沉积至所述基材表面上。

4.权利要求1所述的方法，其中所述含锗化合物包括水溶性锗盐。

5.权利要求1所述的方法，其中所述含锗化合物溶解在碱性溶液中。

6.权利要求5所述的方法，其中所述含锗化合物是溶解在氢氧化钠溶液中的二氧化锗。

7.权利要求1所述的方法，其中所述含锡化合物作为水溶性锡盐添加至所述溶液。

8.权利要求1所述的方法，其中所述含锡化合物是硫化亚锡(II)。

9.减轻基材表面上的锡须生长的方法，其包括以下步骤：

在含氢氧化钠的溶液中溶解一定量的二氧化锗以产生含锗溶液；

添加一定量的水至所述含锗溶液；

添加一定量的d，l-酒石酸至所述含锗溶液；

在所述含锗溶液中溶解一定量的硫化亚锡(II)以产生含锡和锗溶液；

将含锡阳极电极浸入所述含锡和锗溶液；

将阴极基材浸入所述含锡和锗溶液，所述阴极基材包括阴极基材表面；

将电源连接至所述阳极电极和所述阴极基材；

开启所述电源以提供电流至所述阳极电极和所述阴极基材；和

将一定量的锗和锡共沉积至所述阴极基材表面上。

10.权利要求9的方法，进一步包括以下步骤：添加一定量的表面活性剂/流平剂至所述含锗溶液。

11.制造电镀浴的方法，其包括以下步骤：

溶解一定量的含锗化合物以制造含锗溶液；

添加一定量的水至所述含锗溶液；

添加一定量的络合剂至所述含锗溶液；和

将一定量的水溶性含锡化合物溶解入所述含锗溶液。

12.权利要求11所述的方法，其中所述含锗化合物选自碱性溶液中可溶的含锗化合物、水溶性锗盐、和其组合。

13.权利要求11所述的方法，其中所述含锗化合物是溶解在氢氧化钠溶液中的二氧化锗。

14.权利要求11所述的方法，其中所述络合剂是d，l-酒石酸。

15.权利要求11所述的方法，进一步包括以下步骤：添加一定量的表面活性剂/流平剂至所述含锗溶液。

16.权利要求11所述的方法，其中所述含锡化合物包括硫化亚锡(II)。

17.根据权利要求11所述的方法制造的电镀浴。

18.电镀浴，其包括：

水溶液中的一定量的含锗化合物；

一定量的水；

一定量的络合剂；和

一定量的水溶性含锡化合物。

19.权利要求18所述的电镀浴，其中所述含锗化合物是溶解在碱性溶液中的二氧化锗。

20.权利要求18所述的电镀浴，其中所述络合剂是d，l-酒石酸。

21.权利要求18所述的电镀浴，其中所述含锡化合物是硫化亚锡(II)。

22.权利要求18-21中任一项所述的电镀浴，进一步包括一定量的表面活性剂/流平剂。

23.减轻基材表面上的锡须生长的电镀涂层，其包括：

共沉积的大约0.5至大约5重量百分比的量的锗和共沉积的大约95至大约99.5重量百分比的量的锡。