[发明专利]水处理方法以及水处理系统在审
申请号: | 201480038013.6 | 申请日: | 2014-05-30 |
公开(公告)号: | CN105358492A | 公开(公告)日: | 2016-02-24 |
发明(设计)人: | 江田昌之;冲野进;吉山隆士;樱井秀明;鹈饲展行;铃木英夫;中小路裕;吉冈茂 | 申请(专利权)人: | 三菱重工业株式会社 |
主分类号: | C02F9/00 | 分类号: | C02F9/00;B01D9/02;B01D19/00;B01D61/08;B01D61/42;B01D61/58;C02F1/20;C02F1/42;C02F1/44;C02F1/469;C02F1/52;C02F5/00;C02F5/10;C02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 雒运朴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 水处理 方法 以及 系统 | ||
1.一种水处理方法,其包括如下的工序:
水垢防止剂供给工序,在该水垢防止剂供给工序中,向包含Ca离子、SO4离子、碳酸离子以及二氧化硅的被处理水供给钙水垢防止剂,所述钙水垢防止剂是防止包含钙的水垢析出的水垢防止剂;
pH调整工序,在该pH调整工序中,将所述被处理水调整为所述二氧化硅能够溶解于所述被处理水中的pH;
脱盐工序,该脱盐工序在所述水垢防止剂供给工序以及所述pH调整工序之后,将所述被处理水分离为浓缩水与处理水,所述浓缩水浓缩有所述Ca离子、所述SO4离子、所述碳酸离子以及所述二氧化硅;以及
析晶工序,在该析晶工序中,向所述浓缩水供给石膏的晶种,从而石膏从所述浓缩水中析晶。
2.根据权利要求1所述的水处理方法,其中,
在所述被处理水的最下游处的所述析晶工序之后包括下游侧脱盐工序,在该下游侧脱盐工序中分离为浓缩水与处理水,并对该分离出的处理水进行回收。
3.根据权利要求1或2所述的水处理方法,其中,
在所述被处理水的最上游侧的所述水垢防止剂供给工序以及所述pH调整工序之前包括上游侧沉淀工序,在该上游侧沉淀工序中,至少碳酸钙从所述被处理水中沉淀,从而所述被处理水中的所述碳酸钙的浓度降低。
4.根据权利要求3所述的水处理方法,其中,
在所述上游侧沉淀工序之前或者在所述上游侧沉淀工序之后且所述水垢防止剂供给工序以及所述pH调整工序之前包括脱气工序,在该脱气工序中,从所述被处理水中去除CO2。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的水处理方法,其中,
所述被处理水包含金属离子,
所述水处理方法在所述析晶工序之后包括沉淀工序,在该沉淀工序中,碳酸钙与金属化合物中的至少一方沉淀,从而所述浓缩水中的所述碳酸钙与所述金属离子中的至少一方的浓度降低。
6.根据权利要求5所述的水处理方法,其中,
在所述沉淀工序中,向所述浓缩水供给所述二氧化硅的晶种与所述二氧化硅的沉淀剂中的至少一方。
7.根据权利要求6所述的水处理方法,其中,
在所述被处理水包含Mg离子的情况下,根据所述Mg离子的浓度来调整所述二氧化硅的沉淀剂的供给量。
8.根据权利要求5所述的水处理方法,其中,
在所述被处理水包含Mg离子的情况下,将所述沉淀工序的浓缩水调整为镁化合物析出的pH来降低所述Mg离子的浓度,
在所述沉淀工序之后,将所述浓缩水调整为所述镁化合物能够溶解的pH。
9.根据权利要求3所述的水处理方法,其中,
在所述被处理水包含Mg离子的情况下,将所述上游侧沉淀工序的所述被处理水调整为镁化合物析出的pH来降低所述Mg离子的浓度,
在所述上游侧沉淀工序之后,将所述被处理水调整为所述镁化合物能够溶解的pH。
10.根据权利要求2所述的水处理方法,其中,
使水分从所述下游侧脱盐工序的所述浓缩水中蒸发,并回收所述浓缩水中的固体。
11.一种水处理系统,其具备:
水垢防止剂供给部,其向包含Ca离子、SO4离子、碳酸离子以及二氧化硅的被处理水供给钙水垢防止剂,所述钙水垢防止剂是防止包含钙的水垢析出的水垢防止剂;
pH调整部,其向所述被处理水供给pH调整剂,将所述被处理水的pH调整为所述二氧化硅能够溶解于所述被处理水中的值;
脱盐部,其设置在所述水垢防止剂供给部以及所述pH调整部的下游侧,且将所述被处理水分离为浓缩水与处理水,所述浓缩水浓缩有所述Ca离子、所述SO4离子、所述碳酸离子以及所述二氧化硅;以及
析晶部,其设置在所述脱盐部的下游侧,且具有使石膏从所述浓缩水中析晶的析晶槽与向所述析晶槽供给石膏的晶种的晶种供给部。
12.根据权利要求11所述的水处理系统,其中,
在被处理水最下游的所述析晶部的下游侧具备下游侧脱盐部,该下游侧脱盐部将从所述析晶部排出的所述浓缩水分离为浓缩水与处理水。
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