[发明专利]水处理方法以及水处理系统有效
申请号: | 201480038059.8 | 申请日: | 2014-05-30 |
公开(公告)号: | CN105377772B | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 江田昌之;冲野进;吉山隆士;樱井秀明;鹈饲展行;铃木英夫;中小路裕;吉冈茂 | 申请(专利权)人: | 三菱重工工程株式会社 |
主分类号: | C02F9/00 | 分类号: | C02F9/00;B01D9/02;B01D19/00;B01D61/08;B01D61/42;B01D61/58;C02F1/20;C02F1/42;C02F1/44;C02F1/469;C02F1/52;C02F5/00;C02F5/10;C02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 雒运朴 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 水处理 方法 以及 系统 | ||
1.一种水处理方法,其包括如下的工序:
第二水垢防止剂供给工序,在该第二水垢防止剂供给工序中,向包含Ca离子、SO42-离子、CO32-离子及HCO3-离子以及二氧化硅的被处理水供给钙水垢防止剂和二氧化硅水垢防止剂,所述钙水垢防止剂是防止包含钙的水垢析出的水垢防止剂,所述二氧化硅水垢防止剂是防止所述二氧化硅析出的水垢防止剂;
第二脱盐工序,该第二脱盐工序在所述第二水垢防止剂供给工序之后,将所述被处理水分离为第二浓缩水与处理水,所述第二浓缩水浓缩有所述Ca离子、所述SO42-离子、所述CO32-离子及HCO3-离子以及所述二氧化硅;以及
第二析晶工序,在第二析晶工序中,向所述第二浓缩水供给石膏的晶种,从而石膏从所述第二浓缩水中析晶;
在所述第二析晶工序之后,包括如下的工序:
第一水垢防止剂供给工序,在该第一水垢防止剂供给工序中,向所述被处理水供给所述钙水垢防止剂;
第一pH调整工序,在该第一pH调整工序中,将所述被处理水调整为所述二氧化硅能够溶解于所述被处理水中的pH;
第一脱盐工序,该第一脱盐工序在所述第一水垢防止剂供给工序以及所述第一pH调整工序之后,将所述被处理水分离为第一浓缩水与处理水,所述第一浓缩水浓缩有所述Ca离子、所述SO42-离子、所述CO32-离子及HCO3-离子以及所述二氧化硅;以及
第一析晶工序,在该第一析晶工序中,向所述第一浓缩水供给石膏的晶种,从而石膏从所述第一浓缩水中析晶,
所述水处理方法还具备第二pH调整工序,在该第二pH调整工序中,通过使pH降低来将所述第二浓缩水的pH调整为在所述第二析晶工序中所述钙水垢防止剂的水垢防止功能降低而促进所述石膏的析出的值即pH6.0以下。
2.根据权利要求1所述的水处理方法,其中,
在所述第二析晶工序之后,将在所述第二pH调整工序中调整了pH后的所述第二浓缩水调整为所述钙水垢防止剂发挥功能的pH。
3.根据权利要求1所述的水处理方法,其中,
在所述被处理水的最下游处的所述第一析晶工序之后,包括下游侧脱盐工序,在该下游侧脱盐工序中分离为浓缩水与处理水,并将该分离出的处理水回收。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的水处理方法,其中,
在所述被处理水的最上游侧的所述第二水垢防止剂供给工序之前,包括第二上游侧沉淀工序,在该第二上游侧沉淀工序中,至少碳酸钙从所述被处理水中沉淀,从而所述被处理水中的所述碳酸钙的浓度降低。
5.根据权利要求4所述的水处理方法,其中,
在所述第二上游侧沉淀工序之前或者在所述第二上游侧沉淀工序之后且所述第二水垢防止剂供给工序之前,包括第二脱气工序,在该第二脱气工序中,从所述被处理水中去除CO2。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的水处理方法,其中,
所述被处理水包含金属离子,
在所述第二析晶工序之后包括第二沉淀工序,在该第二沉淀工序中,碳酸钙与金属化合物中的至少一方沉淀,从而所述第二浓缩水中的所述碳酸钙与所述金属离子中的至少一方的浓度降低。
7.根据权利要求6所述的水处理方法,其中,
在所述第二沉淀工序中,向所述第二浓缩水供给所述二氧化硅的晶种与所述二氧化硅的沉淀剂中的至少一方。
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