[发明专利]反射型光掩模及其制造方法有效
申请号: | 201480038079.5 | 申请日: | 2014-08-28 |
公开(公告)号: | CN105359255B | 公开(公告)日: | 2018-11-09 |
发明(设计)人: | 渡边原太;井本知宏;福上典仁 | 申请(专利权)人: | 凸版印刷株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F1/24 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 张苏娜;常海涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反射 型光掩模 及其 制造 方法 | ||
1.一种反射型光掩模,其具有:
基板;
形成在该基板上的多层反射膜,该多层反射膜反射平版印刷用的曝光光,该曝光光包含波长5nm以上15nm以下的光;
形成在该多层反射膜上的吸收膜,该吸收膜吸收所述曝光光且同时形成有电路图案或者电路图案形成预定区域中的一者,其中在所述电路图案形成预定区域中形成电路图案;
在所述电路图案或者所述电路图案形成预定区域中的一者的外周侧,通过除去所述基板上的所述多层反射膜和所述吸收膜的一部分而形成的遮光区域,该遮光区域遮蔽由所述多层反射膜反射的所述曝光光的一部分;以及
在该遮光区域的露出的所述基板的表面的一部分上以3000nm以下的间距形成的多个凸部,该多个凸部抑制所述曝光光所含的入射到所述遮光区域的带外光的反射,所述带外光具有140nm以上800nm以下的波长。
2.根据权利要求1所述的反射型光掩模,其特征在于,所述凸部从所述吸收膜侧向所述基板侧扩径形成。
3.根据权利要求1或2所述的反射型光掩模,其特征在于,所述凸部的侧面为曲面。
4.一种反射型光掩模的制造方法,其特征在于包含以下步骤:
在基板上层叠多层反射膜的步骤,该多层反射膜反射平版印刷用的曝光光,该曝光光包含波长5nm以上15nm以下的光;
在所述层叠的多层反射膜上层叠吸收膜的步骤,该吸收膜吸收所述曝光光且同时形成有电路图案或者电路图案形成预定区域中的一者,其中在所述电路图案形成预定区域中形成电路图案;
在所述电路图案或者所述电路图案形成预定区域中的一者的外周侧,通过除去所述基板上的所述多层反射膜和所述吸收膜的一部分而形成遮蔽由所述多层反射膜反射的所述曝光光的一部分的遮光区域的步骤;以及
在所述形成的遮光区域的露出的所述基板的表面的一部分上形成多个凸部的步骤,该多个凸部抑制所述曝光光所含的具有140nm以上800nm以下的波长的带外光的反射。
5.根据权利要求4所述的反射型光掩模的制造方法,其特征在于,一体地实行形成所述遮光区域的处理和形成所述多个凸部的处理,从而同时进行所述基板的表面的露出与所述凸部的形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于凸版印刷株式会社,未经凸版印刷株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造