[发明专利]狭槽式模具涂布方法、设备和基底有效

专利信息
申请号: 201480038194.2 申请日: 2014-05-02
公开(公告)号: CN105358260B 公开(公告)日: 2017-11-10
发明(设计)人: 萨宾娜·余丽安娜·伽贝尔;伊格·赫尔格·德弗里斯 申请(专利权)人: 荷兰应用自然科学研究组织TNO
主分类号: B05D1/26 分类号: B05D1/26;B05C5/02
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 代理人: 武晨燕,王艳波
地址: 荷兰*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 狭槽式 模具 方法 设备 基底
【权利要求书】:

1.用于在基底(1)上制造图案化涂布层的狭槽式模具涂布方法,所述方法包括:

-提供包括基底表面(1s)的所述基底(1);

-提供包括流出开口(2a)的狭槽式模具涂布头(2),使用时,涂布流体(3f)从所述流出开口(2a)流出,其中所述流出开口(2a)形成狭缝,使用时,所述狭缝沿狭缝方向(Y)布置在所述基底表面(1s)上方;

-控制所述流出开口(2a)和所述基底表面(1s)之间沿横向于所述狭缝方向(Y)的涂布方向(X)的相对运动;

-控制所述涂布流体(3f)从所述狭槽式模具涂布头(2)到所述基底表面(1s)上的间歇性传输(T),以通过所述间歇性传输(T)在所述基底表面(1s)上提供被未涂布区域(3u)分隔开的涂布区域(3c);其中

-所述基底表面(1s)包括具有高表面能量区域(4h)和低表面能量区域(4l)的预图案化层(4);其中所述涂布流体(3f)在所述基底表面(1s)上的接触角在所述高表面能量区域(4h)中比在所述低表面能量区域(4l)中小;其中所述低表面能量区域(4l)与所述高表面能量区域(4h)之间的边界(4hl,4lh)沿所述狭缝方向(Y)布置;并且其中所述方法进一步包括:

-将所述间歇性传输(T)与所述流出开口(2a)在所述低表面能量区域(4l)与所述高表面能量区域(4h)之间的所述边界(4hl,4lh)上方的经过同步化,其中当所述流出开口(2a)经过高表面能量区域(4h)上方时传输被启用(T=1),并且其中当所述流出开口(2a)经过低表面能量区域(4l)上方时传输被禁用(T=0)。

2.根据权利要求1所述的方法,其中同步化所述间歇性传输(T)包括:

-设置所述流出开口(2a)在所述基底表面(1s)上方的沿所述涂布方向(X)传输被中断(T=1→0)的位置与从高表面能量区域(4h)到低表面能量区域(4l)的边界(4hl)之间的第一偏置(Xhl);和/或

-设置所述流出开口(2a)在所述基底表面(1s)上方的沿所述涂布方向(X)传输被恢复(T=0→1)的位置与从低表面能量区域(4l)到高表面能量区域(4h)的边界(4lh)之间的第二偏置(Xlh)。

3.根据权利要求2所述的方法,其中所述第一和/或第二偏置(Xlh,Xhl)通过中断或恢复所述涂布流体的传输被调整以使所述涂布区域(3c)的层厚度变化最小化。

4.根据权利要求1所述的方法,其中所述传输在所述流出开口(2a)即将经过从低表面能量区域(4l)到高表面能量区域(4h)的边界(4lh)之前或刚刚经过从低表面能量区域(4l)到高表面能量区域(4h)的边界(4lh)之后被设置为恢复(T=0→1)。

5.根据权利要求1所述的方法,其中所述传输在所述流出开口(2a)即将经过从高表面能量区域(4h)到低表面能量区域(4l)的边界(4hl)之前或刚刚经过从高表面能量区域(4h)到低表面能量区域(4l)的边界(4hl)之后被设置为中断(T=1→0)。

6.根据权利要求1所述的方法,其中所述涂布流体(3f)从所述狭槽式模具涂布头(2)到所述基底表面(1s)上的所述间歇性传输(T)通过下述方式控制:

-增大所述流出开口(2a)与所述基底表面(1s)之间的距离(Z)以中断传输(T=1→0);以及

-减小所述流出开口(2a)与所述基底表面(1s)之间的距离(Z)以恢复传输(T=0→1)。

7.根据权利要求1所述的方法,其中所述狭槽式模具涂布头(2)倾斜一角度以从所述流出开口(2a)提供沿流出方向(3x)的流出,所述流出方向(3x)相对于重力方向(G)具有大于90度平面角的角度(θ)。

8.根据权利要求1所述的方法,其中

-所述预图案化层(4)包括具有与高表面能量区域(4h)的沿所述涂布方向(X)的平行边界(4s)的低表面能量区域(4l);

-一个或多个垫片(2s)被布置在所述流出开口(2a)中,将所述流出开口(2a)分隔为多个狭缝(2as);其中

-所述一个或多个垫片(2s)与所述平行边界(4s)对准,以阻止所述涂布流体(3f)从所述狭槽式模具涂布头(2)到所述基底表面(1s)上的在具有与高表面能量区域(4h)的沿所述涂布方向(X)的平行边界(4s)的所述低表面能量区域(4l)处的传输(T)。

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