[发明专利]Cu‑Ga合金溅射靶及其制造方法

权利要求书

1.一种Cu-Ga合金溅射靶，其特征在于，其为具有如下组织和如下成分组成的烧成体，所述组织为在具有Cu-Ga合金的γ相及ζ相的基体中分散Na化合物相，所述成分组成为含有20～30原子％的Ga、2.6～10原子％的Na且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，所述不可避免的杂质包含Na化合物中的Na以外的元素，

所述γ相的平均粒径为30～100μm，

所述Na化合物相的平均粒径为8.5μm以下，

所述Na化合物相的最大粒径为20μm以下，

所述烧成体的氧含量为200质量ppm以下。

2.根据权利要求1所述的Cu-Ga合金溅射靶，其特征在于，

归属于所述ζ相的X射线衍射的主峰强度为归属于所述γ相的X射线衍射的主峰强度的5％以上。

3.根据权利要求1所述的Cu-Ga合金溅射靶，其特征在于，

所述Na化合物相由NaF、Na₂S、Na₂Se及Na₃AlF₆中的至少一种构成。

4.一种Cu-Ga合金溅射靶的制造方法，其特征在于，其为制造权利要求1～3中任一项所述的Cu-Ga合金溅射靶的制造方法，具有如下工序：

将由纯Cu粉末、Cu-Ga合金粉末及Na化合物的混合粉末构成的成型体，在还原性气氛中加热而进行常压烧结，

以500～2000kgf/cm²的成型压力得到所述成型体，在进行所述常压烧结的工序中，使还原性气体以10～100L/min流动，并将所述成型体加热至700～1000℃的烧成温度。